<?xml version="1.0" encoding="gb2312"?><rss version="2.0"><channel><title>channlv的博客</title><link></link><description></description><language>zh-cn</language><generator>Goodspeed Rss</generator><ttl>15</ttl><pubDate>Fri, 05 Sep 2008 12:44:39 GMT</pubDate><category></category><copyright></copyright><docs></docs><item><title>Keil C 编译器常见警告与错误信息的解决方法</title><pubDate>Fri, 08 Aug 2008 15:43:52 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/144341/message.aspx</link><description>1. Warning 280:’i’:unreferenced local variable 说明局部变量i 在函数中未作任何的存取操作解决方法消除函数中i 变量的宣告 2 Warning 206:’Music3’:missing function-prototype 说明Music3( )函数未作</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/144341/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>EKSTM32F ad程序的部分解释 希望大家共同讨论</title><pubDate>Fri, 06 Jun 2008 21:41:49 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/123385/message.aspx</link><description>/******************** (C) COPYRIGHT 2007 STMicroelectronics ******************** * File Name : main.c * Author : MCD Application Team * Version : V1.0</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/123385/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>C51启动文件STARTUP.A51</title><pubDate>Mon, 02 Jun 2008 11:20:29 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/121688/message.aspx</link><description>C51启动文件STARTUP.A51 启动文件STARTUP.A51中包含目标板启动代码，可在每个project中加入这个文件，只要复位，则该文件立即执行，其功能包括： l 定义内部RAM大小、外部RAM大小、可重入堆栈位置 l 清除内部、外部或者以此页为单元的外部存储器 l 按存储模式初使化重入堆</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/121688/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>51单片机 c语言初步</title><pubDate>Wed, 28 May 2008 20:25:35 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/119589/message.aspx</link><description>1)C忌讳绝对定位。 常看见初学者要求使用_at_,这是一种谬误，把C当作ASM看待了。在C中变量的定位是编译器的事情，初学者只要定义变量和变量的作 用域，编译器就把一个固定地址给这个变量。怎么取得这个变量的地址？要用指针。比如unsigned char data x;后，x的地址就是&amp;amp;amp;x,</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/119589/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>三极管参数</title><pubDate>Mon, 26 May 2008 16:51:54 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/118990/message.aspx</link><description>1. VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。 2. VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。 3. VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。 4. VDSO, 漏源击穿电压。 5. ICM,集电极最大允许电流。 6. IDSM,最大漏源电流。 7. PCM,集电极最大耗散功率。</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/118990/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>封装</title><pubDate>Mon, 26 May 2008 16:23:53 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/118985/message.aspx</link><description>我来说说吧： 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 </description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/118985/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>动态分配</title><pubDate>Mon, 26 May 2008 14:52:44 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/118965/message.aspx</link><description>准备：动态内存分配 一、为什么用动态内存分配 但我们未学习链表的时候，如果要存储数量比较多的同类型或同结构的数据的时候，总是使用一个数组。比如说我们要存储一个班级学生的某科分数，总是定义一个float型（存在0.5分）数组： float score[30]; 但是，在使用数组的时候，总有一个问题困扰</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/118965/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>FS 在仪表中的意义</title><pubDate>Mon, 26 May 2008 14:51:07 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/118964/message.aspx</link><description>FS代表全量程，重复性指产品测试过程中在单位量程中几次测试的 　　最大差值；迟滞是指在加压过程的平均值，和卸压过程的平均值中 　　的最大差值</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/118964/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>轨对轨的运放</title><pubDate>Wed, 21 May 2008 16:25:20 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/117378/message.aspx</link><description>rail to rail rail-to-rail，只是一个概念，其实就是正负电源(±V)供电运算放大器。 运算放大器供电方式： 1，±V 2，＋V和GND。 这两种供电方式，各有各的特点。 1，±V 用三极管的截止失真来说，这种方式输入，不要加入直流输入成分，它的“静态工作点”电压是0V，所以动态</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/117378/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>74、74HC、74LS系列芯片资料</title><pubDate>Thu, 15 May 2008 00:00:00 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/115519/message.aspx</link><description>74、74HC、74LS系列芯片资料，从网上下的，集合了一下 系列 电平 典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8 HCT COMS/TTL 25 -8/8 ACT COM</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/115519/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>74系列芯片功能大全</title><pubDate>Wed, 14 May 2008 23:59:05 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/115518/message.aspx</link><description>7400 TTL 2输入端四与非门 7401 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7402 TTL 2输入端四或非门 7403 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7404 TTL 六反相器 7405 TTL 集电极开路六反相器 7406 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 7407 TTL 集电极</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/115518/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>硬件英文单词完全扫盲(1)</title><pubDate>Wed, 14 May 2008 17:11:42 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/115463/message.aspx</link><description> 基本知识 BGA(Ball Grid Array，球状矩阵排列) CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体 CISC(Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机) COB(Cache </description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/115463/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>GCC avr 技巧</title><pubDate>Wed, 14 May 2008 17:06:11 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/115459/message.aspx</link><description>最近在整avr发现51中的code 在gcc中是__attribute__ ((section (&amp;quot;.progmem&amp;quot;)))  引用的时候#include &amp;amp;lt;avr/pgmspace.h&amp;amp;gt;#define FLASH prog_uchar#define FLASHU8(x) pgm_rea</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/115459/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>TTL电平与CMOS电平的区别</title><pubDate>Mon, 12 May 2008 16:54:09 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/114885/message.aspx</link><description>TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TT</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/114885/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item><item><title>TTL COMS电路接口（转）</title><pubDate>Mon, 12 May 2008 11:52:11 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/channlv/114795/message.aspx</link><description>1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V）， 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的搞电平值。3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在COM</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/channlv/114795/message.aspx</guid><category></category><author>channlv</author></item></channel></rss>