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发表于:2008-7-29 15:13:01
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固态继电器工作原理

SSR固态继电器以触发形式,可分为零压型(Z)和调相型(P)两种。在输入端施加合适的控制信号VIN时,P型SSR立即导通。当VIN撤销后,负载电流低于双向可控硅维持电流时(交流换向),SSR关断。
Z型SSR内部包括过零检测电路,在施加输入信号VIN时,只有当负载电源电压达到过零区时,SSR才能导通,并有可能造成电源半个周期的最大延时。Z型SSR关断条件同P型,但由于负载工作电流近似正弦波,高次谐波干扰小,所以应用广泛。
先锋公司电子厂SSR由于采用输出器件不同,有普通型(S,采用双向可控硅元件)和增强型(HS,采用单向可控硅元件)之分。当加有感性负载时,在输入信号截止t1之前,双向可控硅导通,电流滞后电源电压90O(纯感时)。t1时刻,输入控制信号撤销,双向可控硅在小于维持电流时关断(t2),可控硅将承受电压上升率dv/dt很高的反向电压。这个电压将通过双向可控硅内部的结电容,正反馈到栅极。如果超过双向可控硅换向dv/dt指标(典型值10V/ s,将引起换向恢复时间长甚至失败。
单向可控硅(增强型SSR)由于处在单极性工作状态,此时只受静态电压上升率所限制(典型值200V/ s),因此增强型固态继电器HS系列比普通型SSR的换向dv/dt指标提高了5 20倍。由于采用两只大功率单向可控硅反并联,改变了电流分配和导热条件,提高了SSR输出功率。
增强型SSR在大功率应用场合,无论是感性负载还是阻性负载,耐电压、耐电流冲击及产品的可靠性,均超过普通固态继电器,并达到了进口产品的基本指标,是替代普通固态继电器的更新产品。
固态继电器的应用
S系列固态继电器,HS系列增强型固态继电器、可以广泛用于:计算机外围接口装置,恒温器和电阻炉控制、交流电机控制、中间继电器和电磁阀控制、复印机和全自动洗衣机控制、信号灯交通灯和闪烁器控制、照明和舞台灯光控制、数控机械遥控系统、自动消防和保安系统、大功率可控硅触发和工业自动化装置等。在应用中需要考虑下述问题。

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发表于:2007-6-8 9:00:00
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阻容降压原理及电路

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发表于:2006-1-4 9:43:46
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国外芯片的前缀\生产厂家及网址大全

现整理了国外芯片的前缀,生产厂家及网址,希望对大家有所帮助!

为了大家方便的查找芯片资料,现整理了国外芯片的前缀,生产厂家及网址,希望对大家有所帮助!
型号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
HA    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
HD    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
HEF    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
HM,HZ    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
ICL,IG    INTERSIL(美国英特锡尔公司)    
IR,IX    SHARP[***夏普(声宝)公司]    http://www.sharp.com/
ITT,JU    ITT(德国ITT半导体公司)    http://www.ittcannon.com/
KA,KB    SAMSUNG(韩国三星电子公司)    http://www.sec.samsung.com/ 
KC    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/ 
KDA    SAMSUNG(韩国三星电子公司)    http://www.sec.samsung.com/
KIA,KID    KEC(韩国电子公司)    
KM KS    SAMSUNG(韩国三星电子公司)    http://www.sec.samsung.com/
L    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/
L    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/
LA    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/
LB    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/
LC    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/
LC    GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)    
LF    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
LF    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/
LH    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/
LH LK    SHARP[***夏普(声宝)公司]    http://www.sharp.com/
LM    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/
LM    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/
LM    SIGNETICS(美国西格尼蒂公司)    http://www.spt.com/
LM    FAIRCILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/
LM    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/
LM    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
LM    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/
LM    SAMSUNG(韩国三星电子公司)    http://www.sec.samsung.com/
LP    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/ 
LR LSC    SHARP[***夏普(声宝)公司]    http://www.sharp.com/
M    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/
M    MITSUBISHI(***三菱电机公司)    http://www.mitsubishi.com/  
MA    ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司)    http://www.analog.com/
MAX    (美国)美信集成产品公司    http://www.maxim-ic.com/
MB    FUJITSU(***富士通公司)    http://www.fujitsu.com/
MBM    FUJITSU(***富士通公司)    http://www.fujitsu.com/
MC    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
型号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
A    INTECH(美国英特奇公司)    
A-    INTECH(美国英特奇公司    
AC    TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司)    http://www.ti.com/
AD    ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司)    http://www.analog.com/
AM    ADVANCED MICRO DEVICES(美国先进微电子器件公司)    http://www.advantagememory.com/
AM    DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司)    http://www.datapoint.com/
AN    PANASONIC(***松下电器公司)    http://www.panasonic.com/
AY    GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)    
BA    ROHM(***东洋电具制作所)(***罗姆公司)    http://www.rohmelectronics.com/
BX    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/
CA    RCA(美国无线电公司)    
CA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
CA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
CAW    RCA(美国无线电公司)    
CD    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/
CD    RCA(美国无线电公司)    
CIC    SOLITRON(美国索利特罗器件公司)    
CM    CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司)    http://www.cherry-semi.com/
CS    PLESSEY(英国普利西半导体公司)    
CT    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/
CX    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/
CXA    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/
CXD    SONY(***索尼公司)    http://www.sony.com/
CXK    DAEWOO(韩国大宇电子公司)    
DBL    PANASONIC(***松下电器公司)    http://www.panasonic.com/
DN    AECO(***阿伊阔公司)    
D...C    GTE(美国通用电话电子公司微电路部)    
EA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
EEA    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/
EF    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/
EFB    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/ 
EGC    THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)    
ESM    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
F    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/ 
FCM    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com
G    GTE(美国微电路公司)    
GD    GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]    
GL    GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]    
GM    GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]    
号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
MC    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
MC    ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司)    http://www.analog.com/ 
MF    MITSUBISHI(***三菱电机公司)    http://www.mitsubishi.com/ 
MK    MOSTEK(美国莫斯特卡公司)     
ML    PLESSEY(美国普利西半导体公司)     
ML    MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)    http://www.mitelsemi.com/ 
MLM    MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
MM    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/ 
MN    PANASONIC(***松下电器公司)    http://www.panasonic.com/ 
MN    MICRO NETWORK(美国微网路公司)     
MP    MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)     
MPS    MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)     
MSM    OKI(美国OKI半导体公司)    http://www.oki.com/ 
MSM    OKI(***冲电气有限公司)    http://www.oki.com/ 
N NA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
NC    NITRON(美国NITROR公司)     
NE    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
NE    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/ 
NE    MULLARD(英国麦拉迪公司)     
NE    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/ 
NJM    NEW JAPAN RADIO(JRC)(新***无线电公司)     
OM    PANASONIC(***松下电器公司)    http://www.panasonic.com/ 
OM    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
RC    RAYTHEON(美国雷声公司)    
RM    RAYTHEON(美国雷声公司)    
RH-IX    SHARP[***夏普(声宝)公司]    http://www.sharp.com/
S    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
S    AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)    
SA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
SAA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
SAA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
SAA    GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)    
SAA    ITT(德国ITT-半导体公司)    http://www.ittcannon.com/
SAB    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
SAB    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl
SAF    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
SAK    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
SAS    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
型号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
SAS    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl
SAS    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
SDA    (德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
SC    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
SE    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
SE    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
SG    SILICON GENERAL(美国通用硅片公司)    http://www.ssil.com/
SG    MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
SG    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/ 
SH    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/ 
SI    SANKEN(***三肯电子公司)    http://www.sanken-elec.co.jp/
SK    RCA(美国无线电公司)     
SL    PLESSEY(英国普利西半导体公司)     
SN    MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
SN    TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司)    http://www.ti.com/ 
SND    SSS(美国固体科学公司)    http://www.s3.com/ 
SO    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/ 
SP    PLESSEY(英国普利西半导体公司)     
STK    SANYO(***三洋电气公司)    http://www.sanyo.com/ 
STR    SANKEN(***三肯电子公司)    http://www.sanken-elec.co.jp/ 
SW    PLESSEY(英国普利西半导体公司)     
T    TOSHIBA(***东芝公司)    http://www.toshiba.com/ 
T    GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)     
TA    TOSHIBA(***东芝公司)    http://www.toshiba.com/ 
TAA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
TAA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/ 
TAA    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/ 
TAA    PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)     
TAA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/ 
TAA    PLESSEY(英国普利西半导体公司)     
TAA    MULLARD(英国麦拉迪公司)     
TBA    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/ 
TBA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
TBA    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/ 
TBA    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
TBA    NEC EIECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/
TBA    ITT(德国ITT半导体公司)    http://www.ittcannon.com/
TBA    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl
TBA    PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)    
TBA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
型号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
TBA    PLESSEY(英国普利西半导体公司)    
TBA    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/
TBA    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/
TBA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
TBA    MULLARD(英国麦拉迪公司)    
TC    TOSHIBA(***东芝公司)    http://www.toshiba.com/
TCA    ITT(德国ITT半导体公司)    http://www.ittcannon.com/
TCA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
TCA    SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)    
TCA    MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司)    http://www.motorola.com/
TCA    PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)    
TCA    PLESSEY(英国普利西半导体公司)    
TCA    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/ 
TCA    MULLARD(英国麦拉迪公司)    
TCA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
TCA    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl
TCA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/ 
TCM    TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司)    http://www.it.com/
TDA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
TDA    SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)     
TDA    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司)    http://www.motorola.com/ 
TDA    PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)     
TDA    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/ 
TDA    PLESSEY(英国普利西半导体公司)     
TDA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/ 
TDA    NEC ELECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/ 
TDA    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl 
TDA    ITT(德国ITT半导体公司)    http://www.ittcannon.com/ 
TDA    HITACHI(***日立公司)    http://semiconductor.hitachi.com/
TDA    SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利-SGS亚特斯半导体公司)    http://www.st.com/  
TDA    PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)     
TDA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
TDA    RCA(美国无线电公司)     
TDA    MULLARD(英国麦拉迪公司)     
TDA    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/ 
TDB    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/ 
TDC    TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)     
TEA    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/ 
TEA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/ 
TL    TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司)    http://www.toshiba.com/ 
TL    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
号前缀    对应国外生产厂商    互联网网址
TM    TOSHIBA(***东芝公司)    http://www.toshiba.com/ 
TMM    TOSHIBA(***东芝公司)    http://www.toshiba.com/ 
TMS    TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司)    http://www.ti.com/ 
TP    TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司)    http://www.ti.com/
TP    NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)    http://www.national.com/
TPA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
TUA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
U    AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)    http://www.telefunken.de/engl/index_e.aspl
UAA    SIEMENS(德国西门子公司)    http://www.siemens.com/
UC    SOLITRON(美国索利特罗器件公司)    http://www.solitron.com/
ULN    SPRAGUE EIECTRIC(美国史普拉格电子公司)    http://www.sharp.com/
ULN    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/ 
ULN    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/ 
ULS    SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)    http://www.sharp.com/
ULX    SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)    http://www.sharp.com/ 
XR    TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司)    http://www.ti.com/
YM    YAMAHA(***雅马哈公司)    http://www.yamaha.co.jp/
UA    MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司)    http://www.motorola.com/
UA    SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)    http://www.spt.com/
UA    PHILIPS(荷兰菲利浦公司)    http://www.semiconductors.philips.com/
UA    FAIRCHILD(美国仙童公司)    http://www.fairchildsemi.com/
UAA    THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)    http://www.thomson.com/
UPA    NEC ELECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/
UPB    NEC ELECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/
UPC    NEC ELECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/
UPD    NEC ELECTRON(***电气公司)    http://www.nec-global.com/
UPD    NEC-MIRO(美国NEC电子公司微电脑分部)    http://www.nec-global.com/
 

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发表于:2006-1-4 9:31:46
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笔记本电脑的锂电池的保养及误区释疑

电池在笔记本电脑中也是一个比较严重的消耗部件,电池使用超过一段时间后,供电时间将逐渐缩短,直至无法使用。因此涉及到笔记本电脑电池的保养和合理使用问题也是经常被讨论到的话题。但一些使用者的某些保养的理解是错误的,以下对此做一下解释。
一、镍氢电池
相比锂电池,镍氢电池摆脱不了与生俱来的劣势。一是 记忆效应 :镍氢电池与镍镉电池一样都有记忆效应,只是要轻微得多,但仍然必须电量耗尽后才可充电。而锂电池完全没有记忆效应,可以不必理会残余电量是多少,直接充电。劣势二是 自放电率高 :镍氢电池一个月为25~35%,而锂电池一个月只有2~5%,这样镍氢电池的电量流失很快,需要经常充电。现在装配镍氢电池的机型已经基本不会见到,普遍应用的是锂离子电池。
二、锂电池
锂电池在一个寿命周期内一般可以进行300至500次的充、放电。因此很多人认为,只要少用电池,这样就可以在一定程度上起到了延长电池寿命的作用。但是他们却忽略了锂电池易老化的本性。
电池作为一个化学元件,受工作环境影响很大,由于氧化反应所引起的电池内阻的增加是导致电池损耗的主要原因。当电解槽电阻达到某个点时,尽管这时候电池依旧可以充满电,但电池却已经不能向外释放储存的电量了。这也是为什么很多用户会抱怨他们充满电的电池,在使用中一下子就没电了。因此不妨这样理解此问题,那就是当锂电池装配结束走下生产线后,它的生命时钟就随即开始走动,它的剩余寿命目前是用充电次数来评估的。
避免频繁地使用电池可以说是最根本的一个方法,但即便你平时大多使用外接电源,好像没有使用电池,但是实际上,电池的老化过程随着时间的推移,一直在进行。将电池搁置不用,也只能是在一定程度上延缓电池的损耗速度而已,却无法使之停止,一般在两到三年以后就寿终正寝了,因此,没必要购买备用的锂电池进行存储,这样实际是在浪费这块电池。另外,如果总是把电池搁一边不用,笔记本电脑的移动意义又从何谈起呢? 所以还是要在使用的情况下谈保养问题。
知己知彼,百战不殆。锂离子电池的正极材料通常由锂的活性化合物组成,负极是特殊分子结构的碳。常见的正极材料主要成分为LiCoO2,充电时,加在电池两极的电势迫使正极的化合物释出锂离子,嵌入负极分子排列呈片层结构的碳中。放电时,锂离子从片层结构的碳中析出,重新和正极的化合物结合。锂离子的移动产生了电流。
化学反应原理虽然很简单,然而在实际的工业生产中,需要考虑的实际问题要多得多:正极的材料需要添加剂来保持多次充、放的活性,负极的材料需要在分子结构级去设计以容纳更多的锂离子;填充在正、负极之间的电解液,除了保持稳定,还需要具有良好导电性,减小电池内阻。
锂离子电池很少有镍镉电池的记忆效应。造成记忆效应的原因是结晶化,而在锂电池中几乎不会产生这种反应。但是,锂离子电池在多次充、放后容量仍然会下降,其原因是复杂而多样的。主要是正、负极材料本身的变化,从分子层面来看,正、负极上容纳锂离子的空穴结构会逐渐塌陷、堵塞;从化学角度来看,是正、负极材料活性钝化,出现副反应生成稳定的其他化合物。物理上还会出现正极材料逐渐剥落等情况,总之最终降低了电池在充、放电过程中可以自由移动的锂离子数目。
不适合的温度,将引发锂离子电池内部其他化学反应,生成我们不希望看到的化合物。所以在不少的锂离子电池正、负极之间设有保护性的温控隔膜或电解质添加剂。在电池升温到一定的情况下,复合膜膜孔闭合或电解质变性,电池内阻增大直到断路,电池不再升温,确保电池充电温度正常。
所以说,锂离子电池也具有先天性的缺陷。锂离子电池自从出厂后其电量就开始不断衰减,即使是不进行循环使用,其部分电量也会永久性的丧失,这一现象我们将之称为电池的“老化效应”。它和镍氢电池的“记忆效应”一样,会造成电池电量的减少。但原理不同,处置方法也不同。镍氢电池避免“记忆效应”的方法是进行深度的充电、放电,但锂电池绝对不能这样做。这在后面将详细说明。
三、锂电池的保存
造成锂电池的老化的速度是由温度和搁置保存时的充电状态而决定的。测试数据表明,锂离子电池老化的幅度和温度以及充电饱和度成正比。这就意味着温度越高、电池充得越满,容量的损失就越大。我将给出一个表格来说明这两种因素的不同情况对电池容量的影响。
---------------------------------------------------------------------
存储温度    充电40%后搁置保存    充电100%后搁置保存
        一年后剩余容量        一年后剩余容量
---------------------------------------------------------------------
0度        98%                94%
---------------------------------------------------------------------
25度        96%                80%
---------------------------------------------------------------------
40度        85%                65%
---------------------------------------------------------------------
60度        75%               60%(三个月后)
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由表格可见,高充电状态和过高的温度加快了电池容量的下降。因此对于锂离子电池,若要长期保存,用户应当将其电量控制在40%,并存储在15℃甚至更低的温度下,这样就可以在使电池自身的保护电路处于工作状态。而如果充满电后将电池置于高温下,反而会对电池造成极大的损害。表中也已经看出,充电100%在60°C环境保存,3个月后电池容量竟然下降了40%。
四、锂电池的使用
在解决了究竟如何保存电池这个问题之后,同时也引出了大家一直争论的另一个焦点,那就是当我们使用固定电源的时候,是否需要将电池取下?这的确是让人很头痛的一个问题。原则上电池的寿命主要是由充电次数来计算的,在有外部电源的情况下取出电池的确可以减少电池被充电的机会。另外,我们可以来分析一下使用固定电源时电池放置于电脑中所处的环境:由于笔记本电脑的充电保护电路作用,使电池维持在95%~100%的满电量状态,而此时电池所处的环境温度至少在25°C~30°C之间,如果炎热天气,这个温度还会有所更高,那么从上表中你应该很自然的就得出了一个结论,那就是这么做实际上对电池造成的损害最大,会引起其容量的显著下降。
但取掉电池后,仅仅使用外接电源也会存在一些危险。突然断电、交流电压不稳,都对笔记本电脑造成硬件损伤,所以制造商一般都会警告用户不要取下电池。当然这样的结果就是使你的电池经常处在这样相对恶劣的环境下,不用多久就会over了,到时你就需要到维修中心去更换新的电池,这样一来,受益的自然是制造厂商了。这也是让人头疼的地方。
现在只能说,在AC供电稳定的前提下,可以考虑取下电池,前提是养成数据随时备份的习惯。如果打算长期不使用电池,应将电池充到40%后放置于小于25°C的荫凉、干燥地方保存,但切记不要放到冰箱里。
由于灰尘和湿气也在充当着电池杀手的角色,它们会破坏电池板电路并加速电池内部的氧化,所以对于那些长期保存的电池,需要套上一层薄膜来低档灰尘和湿气的侵害。保存期间由于电池本身的钝化电压会下降,所以每隔一个月要将电池装上去进行一次充、放电回环,再继续保存,以维持电池的容量和离子活性,好比给电池锻炼一下身体而不仅仅是再次充电。
下面特别强调:禁止过度充电与放电
最后一个大家瞩目的焦点便是锂电池究竟该如何合理充电和放电这个问题。过度充电和过度放电,将对锂离子电池的正、负极造成永久的损坏。这与镍氢、镍镉电池的做法截然不同。从分子层面看,可以直观的理解为:过度放电将导致负极碳过度释出锂离子而使得其片层结构出现塌陷;过度充电将把太多的锂离子硬塞进负极碳结构里去,而使得其中一些锂离子再也无法释放出来。因此锂离子电池通常配有充、放电控制电路。对于锂电池来说最好是进行部分放电,而不是完全放电。实际测试表明,如果电池放到每单元2.5伏特以下,虽然电池内部的安全电路会启动,但这个时候电池就会变得有些不好用了。结果只能使电池报废期提前。正确的做法是不要在储存电池之前将它的电量放得一干二净,而是应该在储存之前充一些电,并且在再次使用之前首先充满电。
深度的充、放电对电池有害无益,但为什么有的人会产生误解呢?
首先有人认为,深度充、放能可以激发电池活性,提升锂离子电池的实际容量。据专家的回答,这只是不了解锂电池的机理而形成的有趣想象,深度的充、放电只会额外造成锂离子电池正、负的永久损坏。
其次,新电池的电量显示有时会不正确,比如电池已充满电,仍显示96%。几次充、放电全循环后,会慢慢达到99%-100%。其实,这是电池内的检测电路还没有采样到足够多的数据,还未来得及修正寄存器中的数值造成的。电池电量仍由电池的化学特性决定,显示的数值只是一个参考。所谓新电池在使用前进行三次全充、放的“激活”,在专家们的眼里,也是以讹传讹。很多人在深充、放以后发现Battery Information里标示的容量发生了改变,为什么呢?因为笔记本电脑用锂离子电池一般都带有管理芯片和充电控制芯片。其中
(1)              管理芯片中有一系列的寄存器,存有电池容量、温度、ID、充电状态、放电次数等数值。而这些数值在使用中会逐渐变化。
(2)              充电控制芯片主要控制电池的充电过程。锂离子电池的充电过程分为两个阶段,恒流快充阶段(电池指示灯呈黄色时)和恒压电流递减阶段(电池指示灯呈绿色闪烁)。恒流快充阶段,电池电压逐步升高到电池的标准电压,随后在控制芯片下转入恒压阶段,电压不再升高以确保不会过充,电流则随着电池电量的上升逐步减弱到0,而最终完成充电。这有效地防止了过度充电。
(3)              电量统计芯片通过记录放电曲线(电压,电流,时间)可以抽样计算出电池的电量,这就是我们在Battery Information里读到的Wh值。而锂离子电池在多次使用后,放电曲线是会改变的,如果芯片一直没有机会再次读出完整的一个放电曲线,其计算出来的电量也就是不准确的。所以需要深充、放来校准电池的芯片。
所以个人认为,在笔记本电脑的使用说明中的“使用一个月后应该全充、放一次”的做法主要的作用应该就是修正这些寄存器里不当的值,使得电池的充电控制和标称容量吻合电池的实际情况。
另外,平时锂电池究竟该如何合理充电和放电呢?由于锂离子电池的电记忆效应小得可以忽略不计,所以半途充电对它的损伤并不是很大,而它最怕的是过度放电(完全放电)。经常对锂离子电池过度低放电的结果只能是让电池提前报废,那些诸如BIOS放电、程序放电、甚至是接上小灯泡放电的方式不到迫不得已是最好不要尝试。因此对于锂离子电池大可不必等到0%再充电。
综上,对电池的保养有几点建议:
1.     在AC Adapter(外接电源适配器) 模式下,电池使用时若没有经历充/放电过程,寿命会比正常使用电池长。
2.     电池内部电阻的增加是导致电池损耗的主要原因,半途充电与用到接近告警线再充电差别不大,仅仅是管理芯片的计数会出现差别;
3.     要避免完全放电;
4.     一段时间可做一次保护电路控制下的深充,放以修正电池的电量统计,但这不会提高电池的实际容量;
5.     在摄氏40度的高温下,电池损耗速度会比正常温度下快很多,在类似新加坡、华南等温度较高的地区的车内使用时,电池温度很容易达到65摄氏度,这会导致电池的快速损耗。要避免将笔记本放在高温的汽车内;
6.     如果你多数时间是在使用固定电源,交流电源又很稳定,则可以取下电池,将电池的剩余电量充放到40%后放在阴凉的地方保存,但切记不要放到冰箱里;
7.     电池内的保护电路也无力监控电池的自放电,对于处于保存状态下的电池,应定期充入一定的电量,以防止电池自放电过度而损坏电池。
8.     摔、撞电池等行为也将加速电池损耗。
    其实电池没有太多要顾及的使用注意,适当让其处于饥寒交迫之中,反而有益于电池的物尽其用。一个电池能使用多少次,一方面来自电池本身制造中的个体差异,另一方面来自于您对电池温柔的使用。
[此贴子已经被作者于2005-9-22 12:12:29编辑过]
源自:我爱单车 作者:10km
所有的里程,都是一个一个10KM累计的。

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发表于:2006-1-4 9:10:09
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2006年的十大技术趋势

计世网消息       

     即将来临的一年似乎会大大改变人们使用技术工作和娱乐的方式。预计在2006年出现的令人兴奋的技术进步包括:高级网络应用和工具将 
 
进一步模糊桌面系统与互联网之间的界线;下一代DVD终于将问世,带来高清晰度的录像技术;宽屏LCD显示器将变得更加便宜和更具吸引力,同时新技术将开始大大提高显示质量;微软终于发送其期盼已久的Vista操作系统。 

   但实现这些技术进步的道路并不平坦。标准之争将在下一代DVD不同阵营之间激烈展开。Vista将需要性能更好的系统才能顺畅地运行。而大多数新显示器的价格(至少在初期)将超出大多数用户的财力范围。您不妨将本文作为了解最热门的新技术的一站式指南,看看它们是否适合2006年的技术需要。

     Vista

     微软的下一个重要操作系统与您通常看到的Windows有很大的不同。但您看不见的部分甚至可能更重要。

   Vista的Windows 浏览器替代技术提供对文件夹和文件内容的图形预览。自从微软在宏大的宣传声势(以及滚石乐队的“Start Me Up”歌声)的陪伴下推出Windows 95以来,已过去10多年时间了。现在,随着微软为下一个重要的操作系统的推出(计划大致在2006年年底推出)做准备,合适的主题歌可能是蓝调歌手Etta James演唱的“Security”。

     Yankee Group分析师Laura DiDio说:“Vista的关键是安全性、安全性以及安全性。”而微软正在加大力度保护用户免受各种在过去十年里已经成为严重问题的病毒、蠕虫和其他恶意攻击的袭击。

     但是,安全性并不是Windows Vista的惟一关注点。其他值得关注的东西还包括:更多的游戏特性、更强的桌面搜索功能、对图形用户界面的重新设计、与高清晰电视的兼容性以及其他多媒体插件。此外,Vista还是来自微软的第一款可以处理64位应用程序的主流操作系统。这种新操作系统将与最新的CPU结合,改进游戏、系统性能和安全性。

    当然,Vista具体将包含什么仍未最终定稿。一些微软不愿发表评论的传言包括:Vista出货时可能有7种不同的版本,从针对第三世界国家的超级简化版本到包含各种业务和多媒体组件的全功能“终极”版。并不是所有人都认为这种安排是个好创意。Enderle Group 首席分析师Rob Enderle说:“如果微软推出7种风格的Vista,他们未来将遇到很多困惑不解的消费者。”

    目前,主要由于Windows是恶意代码作者偏爱的目标,微软有很多忧心忡忡的客户。Vista旨在通过多种创新的方法扼制攻击。一种方法是使创建“受限用户”账户变得更容易。受限用户账户可以被设置为只为用户提供最基本的权限(比如,能够下载图形驱动程序,但是不能安装应用程序)。在以前的Windows版本中,只有网络管理员才能控制这些。

    另一个办法是让操作系统缺省加密硬盘上的所有数据――据DiDio说,这是微软第一次提供这种级别的安全性。Vista还将隔离不同的应用程序和组件,因此,如果病毒通过互联网浏览器进入到系统中,它可能给操作系统造成的破坏将受到限制。DiDio说:“这将基本上(如果不是完全的话)消除来自IE的威胁。至少,它肯定将减少安全漏洞。”

    微软处于落后的一个领域是桌面搜索:Google在营销它的桌面搜索应用时打败了微软的销售人员。Enderle说:“多年来,桌面搜索一直是Windows中的黑洞。”因此,期待着Micrsoft在Vista中提供改进的桌面搜索功能以及新的(并且更好的)搜索文件的图形界面。

   如果Windows Vista实现大多数微软所承诺的、beta版所暗示的以及传言传播者所预测的东西,那将是一次引人注目的升级。从目前我们所掌握的情况看,Vista的前景十分看好。

 蓝光 vs. HD-DVD

    做好准备迎接下一代DVD的到来吧。可惜的是,讨厌的格式大战将使购买新DVD机变得十分复杂。

    可刻录的蓝光和HD-DVD光盘将能够保存几个小时的高清录像。当整个DVD产品似乎好得不那么真实时――30美元的DVD机、10美元的电影光盘――DVD行业决定采取行动改变所有一切。您不应当感到吃惊:1981年音乐行业推出CD时它实际上在做同样的事情。不过,请想一想:您今天当真想听盒式录音磁带吗?可能不会。到明年这个时候,您可能开始对您目前收藏的DVD出现同样的感觉。

    为什么会发生这种变化呢?下一代DVD技术将在2006年进入美国市场,以满足对高清晰度电视的要求。两种新DVD格式――蓝光和高密度DVD(HD-DVD)――将为家庭录像内容提供前所未有的图像清晰度,因为在设计上它们可以在不损失质量的情况下记录高清晰电视(HDTV)。此外,这两种格式可保存的数据量大大超过了今天的DVD光盘上可存储的数据量。蓝光光盘根据使用单层还是双层光盘,可保存25GB或50GB的数据。HD-DVD将具有15GB和30GB的存储容量。在使用25GB的存储容量时,您可以记录两小时的HDTV内容或13小时的标准清晰度电视节目。这些新光盘将使电影制作人可以保存高清晰电影,并留下更多的空间保存其他额外的内容。

    但是,正如很多新技术遇到的情况一样,新DVD也存在一些问题。首先,这两种竞争市场霸主地位的下一代DVD格式是不兼容的。如果您成为早期采用者,就可能发现未来面临的麻烦。首先,主要电影公司和消费电子制造商分为两个阵营,各支持一种格式。因此,如果您购买第一版蓝光录像机,将能够观看来自Walt Disney Studios 的“Chronicles of Narnia:The Lion, The Witch和The Wardrobe”这样的电影,但不能观看由属于HD-DVD阵营的Universal Studios公司制作的“The Bourne Supremacy”或“Chronicles of Riddick”。

    很多观察家看好蓝光格式,因为它具有更大的存储容量,阵容强大的支持者和大力度的营销计划。HD-DVD曾计划于2005年年底出货,但是发布日期现在被推迟到了2006年年初,从而失去了这种格式首先上市的大部分优势。HD-DVD的一个优势是:HD-DVD光盘的物理尺寸与目前的DVD一样(蓝光光盘略薄一些),这意味着生产空盘和播放机更容易、更廉价,而这可能会使这项技术得到制造商的更多钟爱。

    不过,不要对这场格式大战过于感到不安。没有几家电影公司与某一方签订了排他性协议。如果某个格式脱颖而出成为领先格式的话,大多数电影公司肯定将开始提供采用这种格式的电影。

    最后一件值得关注的事情:虽然蓝光和HD-DVD都将采用AACS内容保护方案,但它们有关AACS叫做“受管理的拷贝”部分的政策可能有所不同。受管理的拷贝允许消费者为个人使用或备份目的,制作有限数量的光盘拷贝。这两种格式都支持受管理的拷贝,但是,截止到发稿时,HD-DVD承诺使受管理的拷贝成为其光盘的强制性规定,而蓝光阵营则没有这样的规定。

    我们接触过的制造商中没有一家愿意透露下一代播放机的价格,不过,分析人士预测第一款产品的销售价约在1000美元左右。部分由于Sony推出PlayStation 3的原因,这一价格可能将在2006年底时大幅下降。这种将采用蓝光技术的游戏机预计价格不超过500美元。其前任PlayStation 2第一次具有DVD功能时,对打压DVD机的价格起到了推波助澜的作用,而PS3可能将生产类似的效应。

   新一代网络应用与工具

    不久您将会像桌面应用那样,做出响应的神奇、轻型网站。

    Yahoo!窗口小插件可以将天气信息、股票报价以及更多的信息提到您的桌面。对于大多数人来说,“上网”需要启动浏览器,然后对不同的网站上冲浪。不过,互联网数据与桌面互动方式方面的进展已开始彻底改变我们“上网”的概念,这种演进将在2006年继续进行下去。

    同任何革命性技术一样,这一进步荣获了一连串的名字。一些人把它叫做Web 2.0。另一些人把它称为“开放API”,指的是共享所谓的应用编程接口的关键编程代码。很多人根据改变浏览器与Web数据互动方式的编码技术,把它叫做Ajax(异步JavaScript和XML)。不管使用什么名字,2006年将涌现出一批利用这项技术的新Web应用。

    您也许已熟悉其中的一些东西。大受欢迎的网站Widgetgallery.com(以前叫Konfabulator)上提供1000多个可下载的小应用程序,这些应用程序运行在桌面系统上,但同很多网页那样,是利用JavaScript和XML构建的。其中的很多程序依靠Web提供的数据运行。例如:小字典应用程序显示来自主要字典和辞典网站的搜索结果。另一种应用程序可成为交通监示器,不断更新显示您所选择地区的交通状况。

   基于Web的电子邮件也非常适合于Ajax方式。当用户点击标准Web邮件界面或网页上的链接时,服务器必须向用户发送整个网页。Ajax应用可以请求特定部分的数据并立即更新它们,例如,Web邮件客户程序可以在您浏览邮件列表时提取新信件标题。Google的Gmail利用Ajax提供线程式的对话,在桌面上弹出报警来显示新信件的头两行内容。微软和Yahoo都在对Ajax驱动的Web邮件界面进行beta测试。这些Web邮件界面将桌面邮件应用程序的响应性和特性赋予了Web。

   Google Maps是Web 2.0概念的另一个流行变种。它依靠Ajax使用户可以通过点击和拖动地图,无缝地移动地图。Google还比微软走得更远,向公众开放了地图API,使程序员可以添加他们自己的功能。HousingMaps.com利用这种API,在Google的地图服务上面搭载Craigslist公寓出租分类广告,使用户可以看到出租房在城市中所处的环境。

   不过,还不要去为淘汰桌面应用做准备。并不是所有人每时每刻都上网。据IDC分析师David Feldman说:“这正是有关Web应用宣传脱离现实的地方,它还不能完成人们用计算机所做的一切。”他说:“此外,当涉及真正的数字处理或图形制作时,基于Web的应用还不行。”不过,基于网络的程序与桌面程序并不是非此即彼的命题。将在2006年出现的大量联网的应用只是为我们提供更多的选择。

 利用Web 2.0工具安排时间

   BackPack的灵活的Ajax接口使您可以方便地制作功能清单。您经常随手记下灵光闪现的想法或是待办事项清单吗?如果是这样,不妨到BackPack 上看一看。BackPack是个利用Ajax使输入和检索数据变得无缝和方便的巨大的网站。BackPack使您可以在您希望的时间和方式,以各种简单而有用的格式记下您的想法。例如,您突然想起您要在20分钟后给经纪人打电话。在BackPack中写下一个提示并添加上“(+20)”。根据您的选择,BackPack将在20分钟后给您发送一封电子邮件或给您手机打电话。

显示器更快、更亮、更宽

   高端显示器越变越亮,而宽屏显示器变得更便宜,显示速度越来越快。

   NEC的SpectraView LCD2180WG是首批LED背光桌面显示器之一。它提供图像专业人员所要求的极佳色彩精确度。对于我们其他人来说,7000美元的价格有些昂贵。2006年显示器市场的未来一片光明。显示器究竟有多亮取决于您愿意花多少银子。如果您不在意付出7000美元,您可以选择SpectraView LCD2180WG。这款NEC公司的第一款LED背光显示器具有令人难以置信的对比度、亮度和色彩能力。不过,如果这个价格超出了您的预算,别害怕:更廉价的宽屏和更快速的显示器也随时供您选择。

    2003年,当显示器行业向LCD的发展达到转折点时――这一年,液晶显示器的销售量第一次超过了显像管――购买平板显示屏的主要论据是它节省桌面空间。但是由于LCD显示器显示彩色的方式,它们缺少CRT的亮度,因此,在用户的要求下,公司开始拼命地提高新显示器的亮度。iSuppli公司显示器研究主管Rhoda Alexander说:“人们喜欢高端CRT实际上是由于它的色彩亮度和色彩纯度。”

    除了提供更高的亮度外,LED背光LCD将为用户在屏幕上展现更真实的色彩。这是因为由于背光的质量,LED可以产生更丰富的色谱。IDC分析师Bob O’Donnell说:“目前的LCD只能显示70%的彩色标准。采用LED后,你可以超过这个标准,达到高清晰度的彩色水平。”这意味着当你拍摄数码相机影片时,LED背光显示器将显示原始照片中同样的色彩,而不是损失30%色谱的传真图像。据iSuppli的Alexander说,这种差别引人注目――LED背光LCD具有“显著的惊奇因子(wow factor)。”

   不过,别指望LCD背光LCD居高的价格会在2006年大幅下降。价格一般只有在出现竞争时才会下降,而在一个新兴市场中,您不会看到一群打压价格的新竞争者。Alexander指出:“还有很多的研发费用需要在这个市场上收回。也许在2007年,我们将看到市场上出现一些可观的价格下降。”

   对于手头仍不宽裕的购买者来说,宽屏显示器带来更直接的希望。宽屏显示器最终在2006年将在桌面计算机市场大出风头。如果你工作时需要处理很多电子报表,这类显示器将使一次观看很多报表列变得更容易。很多厂商声称可以利用宽屏显示器一次并排观看两个Word文档,但据iSuppli的Alexander说,要想做到这点,您至少需要一台23或24英寸的宽屏显示器。

   宽屏显示器购买者将高兴地看到显示器的响应时间(它影响到快速运动的物体多流畅地显现在显示器上)将大大改善。2004年,25毫秒的响应时间是常见水平。而现在,您更可能找到一台12毫秒或者甚至8毫秒的显示器。这些数字将在2006年继续下降。您将更多地在观看影响或玩游戏时,注意到这种变化。运动应当更流畅,拖尾现象也将减少。

    无线连接性无处不在

    长距离无线技术即将到来,但是基于笔记本的WiMax距上市仍有一段距离。

    尽管围绕无线网络技术出现了各种各样的宣传,然而,事实是找到公共Wi-Fi连接仍需要做一些工作。明年,由于Intel的WiMax长距离带宽无线技术的出现,找到无线连接应当开始变得更容易。据Intel发言人说,WiMax 信号“在试验中可以传播50英里,但是,实际的传播距离是这个数字的一半。”

    即将面世的第一版WiMax将是“固定WiMax”。在固定WiMax中,发射塔发送WiMax信号,WiMax路由器接收信号。然后,Wi-Fi接入点在通常150英尺距离上广播信号。因此,第一批WiMax将仅仅消除了为居民住宅铺设线缆的需要。第一批WiMax兼容路由器已问世,更多的产品将在明年年初上市。当2007年年底“移动WiMax”出现时,WiMax兼容笔记本将能够直接接收来自发射塔的信号,这意味着如果你在发射塔的覆盖范围内,就具有带宽连接。

   已在试验城市公共无线计划的市政当局,将有更多的考虑固定WiMax作为另一种选择。

   长距离无线技术现状是:如果您不愿为无处不在的无线互联网接入等待到2007年,来自蜂窝通信提供商Cingular、Sprint和Verizon的服务可以填补这一空隙。这些公司都在快速地部署他们的高速(根据不同的技术,400或700kbps)网络,服务已在很多都市地区推出。这些服务需要特殊的PC卡调制解调器(例如,Sprint销售用于接入其EvDO网络的250美元的Sierra Wireless AirCard),而且每月收费并不便宜(根据服务水平,一般在60美元左右)。此外,请关注像联想ThinkPad Z系列这样的笔记本,您可以订购内置高速无线接入功能的这种笔记本。

   苹果: Intel Inside

    两个世界将在2006年发生碰撞,从而产生第一批既可以运行Windows,也可以运行Mac OS的系统。

    多年来,计算机用户一直在寻找一种混血产品。不过,并不是一半电动,一半汽油的汽车,而是融Apple软件设计的优雅与Intel CPU马力于一体的计算机。2006年,这个梦想将变为现实。

    2005年6月,当Apple宣布它将放弃IBM PowerPC处理器,选择Intel引擎时,博客世界因可能买到安装Apple Mac OS X操作系统的品牌PC而激动不已。这种情况将不会发生,至少不会以Apple正式批准的形式发生。Apple Mac OS采用Intel处理器需要基于Intel的Mac中增加新的特殊硬件。

    这意味着Apple计算机家族――最初在笔记本产品线中――急需的处理能力突然得到提升。主要由于基于IMB的芯片缺少冷却能力而停步不前的Apple,一直在想方设法达到基于Intel的Windows竞争对手的芯片速度。在有了Intel为其产品提供动力的情况下,Apple将不再需要对付这个问题了。

   但不要指望Apple很快开始销售安装Windows操作系统的计算机。这种混血儿不会问世。不过,Apple代号为Leopard的下一版本的OS X操作系统,可能于2006年下半年推出,时间大致与Windows Vista上市时间相同。在两种平台运行于相同处理器上的条件下,Apple对微软之战将会升级。

   此外,明年可以关注使用Apple硬件运行Windows或使用两种操作系统的拼装系统(不是由Apple推出的)。在Apple CEO Steve Jobs宣布采用Intel处理器时,当有人向他询问这种可能性时,他似乎默认了这件事。他说,Apple将既不销售,也不支持这种东西,但是“并不排除某人在Mac上运行Windows。他们可能会这样做。”

  下一代游戏机

   游戏玩家们,活动好您的拇指肌肉吧,2006年将成为游戏机伟大的一年。

    Bethesda Software的“Elder Scrolls IV:Oblivion”突显了Xbox 360的图形能力。勒紧您的裤腰带吧。明年,将成为自2001年以来游戏机视频游戏最令人兴奋的一年。继2005年11月微软推出Xbox 360后,Sony和Nintendo将分别推出重要的产品:PlayStation 3和Revolution。这像是一次选举:游戏玩家每隔4年左右就必须选择他们将在下一个周期支持哪种平台。

    很多专家早早就看好将于明年春季上市的Sony PlayStation 3。但是,部分由于Xbox 360早于Sony的PS3大约4个月面市,部分由于微软 在推出游戏机时摆出了强大的游戏阵容,Sony抵挡Xbox 360的日子将不会好过。

    Nintendo看起来肯定将继续垫底,不过不一定缺少创新。Nintendo正在重新考虑游戏世界寿命最长的一个部件:游戏控制杆。该公司的Revolution控制杆模样像是电视遥控器,玩家也以操作遥控器的同样方式操作游戏控制杆。让两者有所区别的是控制杆上的一排检测物理运动的传感器。例如,如果您玩钓鱼游戏时,您也许需要用手和手腕做出钓鱼的动作,而不只是按动按钮。Nintendo另一个很酷的特性是:Revolution用户将能够从Nintendo游戏目录下载和玩任何游戏,包括为从1985年以来原始的Nintendo娱乐系统而设计的游戏。微软和Sony也将在他们的设备中提供向后兼容性,但是仅兼容到他们发布的上一款游戏机。

    另一款Xbox 360游戏,“Infinity Ward的Call of Duty 2”会令人吃惊地重现了第二次世界大战的战斗。正如您预期的那样,驱动这些游戏机的处理和图形硬件给人留下了相当深刻的印象,至少使其中的两款游戏机更接近于PC规格。PS3和Xbox 360将支持HDTV分辨率的游戏,所有3款游戏机都将提供高速互联网连接。但是,到发稿时为止,Nintendo还没有宣布支持HDTV游戏。

   微软为Xbox 360规定了两种价格层次。Xbox 360价格为399美元。除了不重要的硬件附件外(面板以及类似的玩意儿),它还将包括20GB可分离硬盘和订购Xbox Live在线游戏服务的“银”卡。银卡服务使用户可以与其他玩家聊天、传送语音和文本消息,访问Xbox Live Arcade的内容。价格为299美元的Xbox 360核心系统将只包含基本硬件设置,没有Xbox Live也没有可分离硬盘。在发稿时,Sony和Nintendo都没有宣布价格计划。

   这些游戏机在一项关键规格上的比较如下:Sony和微软将他们各自的设备中采用3.2-GHz多内核处理器。Nintendo将把IBM的“Broadway”处理器安装在设备的黑色苗条机架中。这些新游戏机的处理能力分别是以前机型的35倍和15倍。这些数字意味着更干净、更锐利的图形以及当更多的物体出现在屏幕上时更快的游戏速度。

    给人留下深刻印象的东西。如果你一直迟迟没有购买游戏机或者长时间忍住重现您少年游戏年代的冲动,这些魅力无限的游戏机的到来很快将使这种诱惑变得更难抵御。

   如果您打算今年假日季节寻找一款下一代游戏机的话,您惟一的选择是Xbox 360。不过,别亏待自己,选择完整版399美元产品包,而不是299美元的核心系统。大多数游戏玩家将需要100美元的硬盘、50美元的无线控制杆和40美元的HD视频线缆――所有这些都随完整版系统一起提供――总之,前期多付出100美元是值得的。

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发表于:2006-1-4 8:56:17
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电感和磁珠的什么联系与区别

电感和磁珠的什么联系与区别


电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件


電感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过错50MHZ。地的连接一般用电感,电源的连接也用电感,而对信号线则采用磁珠?
但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊?而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了,先必需明白EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电感。对于扳子的IO部分,是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离,比如将USB的地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面?电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地之间的磁珠用多大,磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率,为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢??都是欧姆!!磁珠就是阻高频嘛,对直流电阻低,对高频电阻高,不就好理解了吗, 比如1000R@100Mhz就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。


在很多产品中,交换机的两个地用电容连接起来,为什么不用电感? 我估计(以下全部估计,有错请指点)
如果用磁珠或者直接相连的话, 人体静电等意外电平会轻易进入交换机的地,
这样交换机工作就不正常了。 但如果它们之间断开,那么遭受雷击或者其他高压的时候,两个地之间的电火花引起起火……
加电容则避免这种情况。
对于加电容的解释我也觉得很勉强呵呵,
请高手指教!


交换机的地,是通过两个地之间的之间的电容去消除谐波。就像高阻抗的变压器一样,他附加了一个消除谐波的通路!我自己认为!请指正!


铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体材料通常在高频情况下应用,因为在低频时他们主要程电感特性,使得线上的损耗很小。在高频情况下,他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中,铁氧体材料是作为射频电路的高频衰减器使用的。实际上,铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联,低频下电阻被电感短路,高频下电感阻抗变得相当高,以至于电流全部通过电阻。铁氧体是一个消耗装置,高频能量在上面转化为热能,这是由他的电阻特性决定的。


线圈,磁珠


有一匝以上的线圈习惯称为电感线圈,少于一匝(导线直通磁环)的线圈习惯称之为磁珠。用途由起所需电感量决定。


请教:对于骅讯的USB声卡方案中,在UBS电源端与地端也分别接有一个磁珠,不知是否有人清楚,但是在实际生产中也有些工程把磁珠用电感去代替了,请问这样可以吗?


那里的磁珠是起什么作用哟?作为电源滤波,可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠在电路功能上,磁珠和电感是原理相同的,只是频率特性不同罢了

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发表于:2006-1-4 8:45:26
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印制电路板的可靠性设计—地线设计

目前电子器材用于各类电子设备和系统仍然以印制电路板为主要装配方式。实践证明,即使电路原理图设计正确,印制电路板设计不当,也会对电子设备的可靠性产生不利影响。例如,如果印制板两条细平行线靠得很近,则会形成信号波形的延迟,在传输线的终端形成反射噪声。因此,在设计印制电路板的时候,应注意采用正确的方法。 

  地线设计


  在电子设备中,接地是控制干扰的重要方法。如能将接地和屏蔽正确结合起来使用,可解决大部分干扰问题。电子设备中地线结构大致有系统地、机壳地(屏蔽地)、数字地(逻辑地)和模拟地等。在地线设计中应注意以下几点:


  1.正确选择单点接地与多点接地
  在低频电路中,信号的工作频率小于1MHz,它的布线和器件间的电感影响较小,而接地电路形成的环流对干扰影响较大,因而应采用一点接地。当信号工作频率大于10MHz时,地线阻抗变得很大,此时应尽量降低地线阻抗,应采用就近多点接地。当工作频率在1~10MHz时,如果采用一点接地,其地线长度不应超过波长的1/20,否则应采用多点接地法。


  2.将数字电路与模拟电路分开
  电路板上既有高速逻辑电路,又有线性电路,应使它们尽量分开,而两者的地线不要相混,分别与电源端地线相连。要尽量加大线性电路的接地面积。


  3.尽量加粗接地线
  若接地线很细,接地电位则随电流的变化而变化,致使电子设备的定时信号电平不稳,抗噪声性能变坏。因此应将接地线尽量加粗,使它能通过三位于印制电路板的允许电流。如有可能,接地线的宽度应大于3mm。


  4.将接地线构成闭环路
   设计只由数字电路组成的印制电路板的地线系统时,将接地线做成闭环路可以明显的提高抗噪声能力。其原因在于:印制电路板上有很多集成电路元件,尤其遇有耗电多的元件时,因受接地线粗细的限制,会在地结上产生较大的电位差,引起抗噪声能力下降,若将接地结构成环路,则会缩小电位差值,提高电子设备的抗噪声能力。

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发表于:2005-12-13 15:06:53
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PCB Layout中的走线策略

布线(Layout)是PCB设计工程师最基本的工作技能之一。走线的好坏将直接影响到整个系统的性能,大多数高速的设计理论也要最终经过Layout得以实现并验证,由此可见,布线在高速PCB设计中是至关重要的。下面将针对实际布线中可能遇到的一些情况,分析其合理性,并给出一些比较优化的走线策略。主要从直角走线,差分走线,蛇形线等三个方面来阐述。
1. 直角走线
直角走线一般是PCB布线中要求尽量避免的情况,也几乎成为衡量布线好坏的标准之一,那么直角走线究竟会对信号传输产生多大的影响呢?从原理上说,直角走线会使传输线的线宽发生变化,造成阻抗的不连续。其实不光是直角走线,顿角,锐角走线都可能会造成阻抗变化的情况。 直角走线的对信号的影响就是主要体现在三个方面:一是拐角可以等效为传输线上的容性负载,减缓上升时间;二是阻抗不连续会造成信号的反射;三是直角尖端产生的EMI。

传输线的直角带来的寄生电容可以由下面这个经验公式来计算:
C=61W(Er)1/2/Z0
在上式中,C就是指拐角的等效电容(单位:pF),W指走线的宽度(单位:inch),εr指介质的介电常数,Z0就是传输线的特征阻抗。举个例子,对于一个4Mils的50欧姆传输线(εr为4.3)来说,一个直角带来的电容量大概为0.0101pF,进而可以估算由此引起的上升时间变化量:
T10-90%=2.2*C*Z0/2 = 2.2*0.0101*50/2 = 0.556ps
通过计算可以看出,直角走线带来的电容效应是极其微小的。

由于直角走线的线宽增加,该处的阻抗将减小,于是会产生一定的信号反射现象,我们可以根据传输线章节中提到的阻抗计算公式来算出线宽增加后的等效阻抗,然后根据经验公式计算反射系数:ρ=(Zs-Z0)/(Zs+Z0),一般直角走线导致的阻抗变化在7%-20%之间,因而反射系数最大为0.1左右。而且,从下图可以看到,在W/2线长的时间内传输线阻抗变化到最小,再经过W/2时间又恢复到正常的阻抗,整个发生阻抗变化的时间极短,往往在10ps之内,这样快而且微小的变化对一般的信号传输来说几乎是可以忽略的。

很多人对直角走线都有这样的理解,认为尖端容易发射或接收电磁波,产生EMI,这也成为许多人认为不能直角走线的理由之一。然而很多实际测试的结果显示,直角走线并不会比直线产生很明显的EMI。也许目前的仪器性能,测试水平制约了测试的精确性,但至少说明了一个问题,直角走线的辐射已经小于仪器本身的测量误差。

总的说来,直角走线并不是想象中的那么可怕。至少在GHz以下的应用中,其产生的任何诸如电容,反射,EMI等效应在TDR测试中几乎体现不出来,高速PCB设计工程师的重点还是应该放在布局,电源/地设计,走线设计,过孔等其他方面。当然,尽管直角走线带来的影响不是很严重,但并不是说我们以后都可以走直角线,注意细节是每个优秀工程师必备的基本素质,而且,随着数字电路的飞速发展,PCB工程师处理的信号频率也会不断提高,到10GHz以上的RF设计领域,这些小小的直角都可能成为高速问题的重点对象。


2. 差分走线
差分信号(Differential Signal)在高速电路设计中的应用越来越广泛,电路中最关键的信号往往都要采用差分结构设计,什么另它这么倍受青睐呢?在PCB设计中又如何能保证其良好的性能呢?带着这两个问题,我们进行下一部分的讨论。 何为差分信号?通俗地说,就是驱动端发送两个等值、反相的信号,接收端通过比较这两个电压的差值来判断逻辑状态“0”还是“1”。而承载差分信号的那一对走线就称为差分走线。

差分信号和普通的单端信号走线相比,最明显的优势体现在以下三个方面:
a.抗干扰能力强,因为两根差分走线之间的耦合很好,当外界存在噪声干扰时,几乎是同时被耦合到两条线上,而接收端关心的只是两信号的差值,所以外界的共模噪声可以被完全抵消。
b.能有效抑制EMI,同样的道理,由于两根信号的极性相反,他们对外辐射的电磁场可以相互抵消,耦合的越紧密,泄放到外界的电磁能量越少。
c.时序定位精确,由于差分信号的开关变化是位于两个信号的交点,而不像普通单端信号依靠高低两个阈值电压判断,因而受工艺,温度的影响小,能降低时序上的误差,同时也更适合于低幅度信号的电路。目前流行的LVDS(low voltage differential signaling)就是指这种小振幅差分信号技术。

对于PCB工程师来说,最关注的还是如何确保在实际走线中能完全发挥差分走线的这些优势。也许只要是接触过Layout的人都会了解差分走线的一般要求,那就是“等长、等距”。等长是为了保证两个差分信号时刻保持相反极性,减少共模分量;等距则主要是为了保证两者差分阻抗一致,减少反射。“尽量靠近原则”有时候也是差分走线的要求之一。但所有这些规则都