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电子元器件的故障特点
电器设备内部的电子元器件虽然数量很多,但其故障却有规律可循的。 
    1.电阻损坏的特点 
    电阻是电器设备中数量最多的元件,但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广,其损坏的特点一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ以上)的损坏率较高,中间阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑,很容易发现,而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流,阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹,有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种,烧坏时可能会断裂,否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮,有的也没有什么痕迹,但绝不会烧焦发黑。根据以上特点,在检查电阻时可有所侧重,快速找出损坏的电阻。 
    2.电解电容损坏的特点 
    电解电容在电器设备中的用量很大,故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现:一是完全失去容量或容量变小;二是轻微或严重漏电;三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有: 
    (1)看:有的电容损坏时会漏液,电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍,种电容绝对不能再用;有的电容损坏后会鼓起,这种电容也不能继续使用; 
    (2)摸:开机后有些漏电严重的电解电容会发热,用手指触摸时甚至会烫手,这种电容必须更换; 
    (3)电解电容内部有电解液,时间烘烤会使电解液变干,导致电容量减小,所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容,离其越近,损坏的可能性就越大。 
    3.二、三极管等半导体器件损坏的特点 
    二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差,用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档,不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结正、反向电阻,如果正向电阻不太大(相对正常值),反向电阻足够大(相对正向值),表明该PN结正常,反之就值得怀疑,需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上,用万用表低阻值档在路测量,可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。 
    4.集成电路损坏的特点 
    集成电路内部结构复杂,功能很多,任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种:彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时,可将其拆下,与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果故障发生时间推迟或不再发生故障,即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。
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标签: 电子元器件
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压敏电阻的小常识
贴片压敏电阻,用于所有IC对瞬时电压噪音的保护;电源I/O port 对ESD,EFT和电涌的保护,电源回路的保护,如:speaker, Receiver,Ear jack, Side key Microphone ,I/O PORT, UIM/SIM,POWER Line,DATA LINE ,USB 1.1、2.0 等,可取代稳压二极.
   压敏电阻器(chip varistor)的介绍 电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件,可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进行保护,防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流(如雷击等)而造成对它们的损坏。使用时只需将压敏电阻器并接于被保护的IC或设备电路上,当电压瞬间高于某一数值时,压敏电阻器阻值迅速下降,导通大电流,从而保护IC或电器设备;当电压低于压敏电阻器工作电压值时,压敏电阻器阻值极高,近乎开路,因而不会影响器件或电器设备的正常工作。(0402)尺寸的片式压敏电阻器最受欢迎。常用的0402片式压敏电阻器有5.6V、9V、14V和18V等几种电压范围的产品,选用压敏电阻器前,应先了解以下相关技术参数:标称电压(即压敏电压)是指在规定的温度.
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大家来认识一下新型的电解电容

电解电容器是常用的电子元件,主要应用于滤波、去耦及信号耦合等场合。
1、使用液体电解液的铝电解电容器,由通用电气(GE)公司发表于1908年。
2、使用固态钽电解电容器,由WE和SPRAGUE发表于1953年。
3、使用有有机半导体为电解质的固体OS-CON电容,由三洋SANYO发表于1982年。

值得注意的是,虽然SANYO发展OS-CON的时间很早,也属于成熟的技术,但真正被大量使用(以合理的产量与价格被广泛使用),其实也是这两年的事情。因为PC产业对OS-CON电容优异的高频特性有迫切的需求,从Pentium系列主机板开始,我们就可以开始看到OS-CON的影子,直到Pentium 4,OS-CON已经到了不可或缺的程度。
量子星公司于2002年开始推出QTSTAR电容(导电性高分子铝固体电解电容器),它采用高性能的材料(导电性高分子)作为电解质,其导电性高,ESR(等效串联电阻)值低,并且有良好的频率特性、温度特性及允许通过更多的纹波电流等特点。现已在PC主板,显卡,开关电源,音响,汽车控制线路等行业中应用。

QTSTAR电容的特点
A、QTSTAR电容是低等效串联电阻电容器
1、阻抗的频率特性基本上达到最理想值。适合于用作清除纹波噪声、峰值噪声、数码噪声、静电噪声以及音像设备等噪声的去藕电容器。
2、允许通过纹波电流多适用于小型化设备的转换电流平滑电容器。
3、可快速放电。适用于高速大电流电路中的保护电容器。
B、QTSTAR电容的等效串联电阻不受温度的影响
1、适用温度范围广(-50度 ~ +125度)的设备
C、QTSTAR电容的寿命长
1、在85℃的工作环境中,寿命最高可达40,000小时。适用于长期使用的产业设备等。

作为高品质滤波电容,QTSTAR电容主要针对行业开关电源市场,这是由于QTSTAR电容有很小的ESR(等效串联电阻),可以有效的消除杂波,因此被很多开关电源制造商所采用。除此以外,它还主要针对高频数字设备应用,如新兴多媒体产品、DAC、数码相机、笔记本、PDA、DVD/HD驱动器、导航系统、以及CPU的保护等。而对于广大的DIY发烧友来说,QTSTAR固体电解电容的一个重要应用就是DVD、功放以及Hi-Fi音质的音响系统。这是因为音响信号电流会引起普通铝电解电容的诱电体、电极箔、接触点的振动。

将QTSTAR固态电解电容解剖之后,可以发现在接脚引线与电极绝缘方面,QTSTAR电容与传统电解电容几乎差不多,真正的关键,则是在电解介质上。传统电解电容,使用液态的电解液,除了电解液本身寿命有限,特性不稳定之外,同时还得担心电解液外泄的问题;而量子星的QTSTAR电容,则是用“有机半导体”来取代电解液,一如我们对于半导体的概念,此举除了提供稳定的电解介质之外,也因为这个有机半导体介质(Organic Semiconductor)在介电特性上的优异特性,使得QTSTAR电容不光是寿命长、工作稳定,还拥有可与金属皮膜电容匹敌的高频特性。
最后说一下,在固体电解电容行业内,如日系的三洋OS-CON、国内的QTSTAR电容都是已经都是较成熟的产品了

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接地电阻的计算与测量
路灯设施的接地保护事关国家财产和人民生命安全的大事.为做好接地保护并有效地设置接地电阻,必须正确计算和测量接地电阻.理论上,接地电阻越小,接触电压和跨步电压就越低,对人身越安全.但要求接地电阻越小,则人工接地装置的投资也就越大,而且在土壤电阻率较高的地区不易做到.在实践中,可利用埋设在地下的各种金属管道(易燃体管道除外)和电缆金属外皮以及建筑物的地下金属结构等作为自然接地体.由于人工接地装置与自然接地体是并联关系,从而可减小人工接地装置的接地电阻,减少工程投资.
  
一、接地电阻值的规定
  
在1000V以下中性点直接接地系统中,接地电阻Rd应小于或等于4Ω,重复接地电阻应小于或等于10Ω.而电压1000V以下的中性点不接地系统中,一般规定接地电阻R为4Ω.因此,根据实际安装经验,在路灯照明系统中接地电阻Rd应小于或等于4Ω.
  
二、人工接地装置接地电阻的计算
  
人工接地装置常用的有垂直埋设的接地体、水平埋设的接地体以及复合接地体等.此外,接地电阻大小还与接地体形状有关,在路灯施工应用中,通常使用垂直、水平接地体,这里只简要介绍上述两种接地电阻的计算.
  
1、垂直埋设接地体的散流电阻
  
垂直埋设的接地体多用直径为50mm,长度2-2.5m的铁管或圆钢,其每根接地电阻可按下式求得:Rgo=[ρLn(4L/d)]/2πL
  
式中:ρ—土壤电阻率(Ω/cm)
  
L—接地体长度(cm)
  
d—接地铁管或圆钢的直径(cm)
  
为防止气候对接地电阻值的影响,一般将铁管顶端埋设在地下0.5-0.8m深处.若垂直接地体采用角钢或扁钢(见图1),其等效直径为:
  
等边角钢 d=0.84b
  
扁钢 d=0.5b
  
为达到所要求的接地电阻值,往往需埋设多根垂直接体,排列成行或成环形,而且相邻接地体之间距离一般取接地体长度的1-3倍,以便平坦分布接地体的电位和有利施工.这样,电流流入每根接地体时,由于相邻接地体之间的磁场作用而阻止电流扩散,即等效增加了每根接地体的电阻值,因而接地体的合成电阻值并不等于各个单根接地体流散电阻的并联值,而相差一个利用系数,于是接地体合成电阻为Rg=Rgo/(ηL*n)
  
式中,Rgo—单根垂直接地体的接地电阻(Ω);
  
ηL—接地体的利用系数;
 
n—垂直接地体的并联根数.
  
接地体的利用系数与相邻接地体之间的距离a和接地体的长度L的比值有关,a/L值越小,利用系数就越小,则散流电阻就越大.在实际施工中,接地体数量不超过10根,取a/L=3,那么接地体排列成行时,ηL在0.9-0.95之间;接地体排列成环形时,ηL约为0.8.
  
2、水平埋设接地体的散流电阻
  
一般水平埋设接地体采用扁钢、角钢或圆钢等制成,其人工接地电阻按下式求得:
  
Rsp=(ρ/2πL)*[Ln(L2/dh)+A] 
  
式中,L—水平接地体总长度(cm);
  
h—接地体埋没深度(cm);
  
A—水平接地体结构型式的修正系数
  
三、接地电阻的测定
  
接地电阻的测定有多种方法,如利用接地电阻测量仪、电流-电压表法等,其基本方法是测出被接地体至“地”电位之间的电压和流过被测接地体的电流,而后算出电阻值.
  
图2为电流-电压表法的原理图.其中A、B为长约1m、直径为50mm的临时检测用的辅助钢管,打入地中位置必须距被测接地装置在20m以上,A、B间距也应保持在20m以上.一般采用一根钢管作为辅助极即可达到准确测量的目的.
  
将电压表和电流表的读数分别记下,并列出下式
  
RdA=Rd+Rn=U1/I1
  
RdB=Rd+RB=U2/I2
  
RAB=RA+RB=U3/I3
  
因为RdA+RdB-RAB=2Rd
  
所以Rd=(RdA+RdB-RAB)/2Ω
  
用该方法测电阻不受测量范围的限制,但需要有独立的交流电源,在没有电源的地方,可利用电阻测量仪进行实测.值得一提的是,在测量接地电阻时,应考虑季节性的影响,即在最不利的条件下所测得的结果更符合检测要求。
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滤波电容、去耦电容、旁路电容作用
滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水,这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了,等水过来,我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。 如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,阻抗Z=jωL+R,线路的电感影响也会非常大,会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一。(在VCC引脚上通常并联一个去耦电容,这样交流分量就从这个电容接地。) 2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 2.旁路电容和去耦电容的区别 去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。 旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。 我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。
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标签: 滤波电容,去耦电容,旁路电容
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开漏电路特点及应用
在电路设计时我们常常遇到开漏(open drain)和开集(open collector)的概念。本人虽然在念书时就知道其基本的用法,而且在设计中并未遇的过问题。但是前两天有位同事向我问起了这个概念。我忽然觉得自己对其概念了解的并不系统。近日,忙里偷闲对其进行了下总结。 所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示: [upload]/bbs/BBSUploadfile/2005-6-19-12-56-17.jpg[/upload] 组成开漏形式的电路有以下几个特点: 1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。 2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。 3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。 4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。 5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。 [upload]/bbs/BBSUploadfile/2005-6-19-12-57-13.jpg[/upload] 应用中需注意: 1. 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本。如图3。 2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
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