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此外，CBWCB的第一个字节是接收到的命令的操作码。它会用来解码命令并作相应的处理（通过MSDCommandHandler）。有可能有命令不需要作任何数据传输。在这种情况下，Direction位被置为‘0’，MSD_State被设为MSD_DATA_OUT。如果给定的命令不需要数据传输，命令被执行并且通过sendCSW（）函数来设置状态。根据命令执行的结构，来设置dDataResidue和bCSWStauts的值。

图11显示了MSDDataIn()函数的流程。此函数被用来发送在MSDCommandHandler()处理的命令获得的数据。数据方向是从设备到主机，使用MSD_BD_IN。在命令执行后，dCSWDataResidue体现了被发送到主机的命令执行的结果包含的数据的字节数。一旦出现了错误（bCSWStatus!=0x00），会将主机期望的数据大小（dCBWDataTransferLength）置为0发送出去。如果发送数据的大小大于MSD_IN_EP_SIZE（64字节，端点1 IN的缓冲区大小），则发送数量等于MSD_IN_EP_SIZE的数据；否则，利用MSD_BD_IN缓冲区发送数量等于dCSWDataResidue大小的数据。

注意，只有WRITE(10)命令的数据需要从主机读出。在MSD_WAIT态，MSD_BD_OUT指向msd_cbw结构体以便于读下一个命令块（command block）。但是当收到了一个WRITE(10)命令后，设备边为MSD_DATA_OUT态。在此状态中，设备必须从主机读取更多的数据并将数据写入SD卡。这些数据写入SD卡都是通过512字节的msd_buffer。因此，在MSD_DATA_OUT态中，MSD_BD_OUT（端点1 OUT）缓冲指向msd_buffer。为了读取完整的512数据块，在每次读操作后，MSD_BD_OUT指针在msd_buffer中的增加是根据MSD_OUT_EP_SIZE的（端点1 OUT缓冲大小）。一旦msd_buffer被填满（8次读取64字节），数据通过SECTORwrite(…)函数（在sdcard.c中定义）被写入SD卡的特定位置。如果多个数据块要写入SD卡就重复上述的过程。WRITE(10) CBWCB的LBA域给出了LBA的起始地址；WRITE(10) CBWCB 的TRANSFER LENGTH域表示LBA被连续写入的长度的。

Out端点的大小被配置为64字节。Msd_buffer的大小在USB双口RAM区中被定义为512字节。SD卡的block大小为512字节。通过多次的从MSD_BD_OUT读取64字节数据，Msd_buffer可从主机读取512字节。一旦从主机读取了512字节后（msd_buffer被填满），就通过SETCTORWrite()函数将整块的数据写入SD卡。对于TRANSFER LENGTH>1的WRITE(10)命令，多个512字节的数据块被写入根据LBA描述起始地址的连续的扇区。LBA和物理地址的转换是根据：因为每个扇区有2^9＝512字节，物理地址是通过将LBA左移9位获得。同样，对于READ(10)命令，先通过SECTORread()函数从SD卡读取512字节，然后通过64字节的MSD_BD_IN缓冲发送到主机。

每次从MSD_BD_OUT或MSD_BD_IN进行读和写后，都要调用mUSBDriverService()函数来清除TRNIF位。mUSBBufferReady(MSD_BD_IN)或mUSBBufferReady（MSD_BD_OUT）宏被用来读写BD寄存器中的数据。

FW仅支持固定格式来响应INQUIRY命令。根据规范，在对应的INQUIRY命令发生时不能产生媒介访问延迟。标准INQUIRY命令的数据最少为36字节，最多可达96字节。

READ CAPACITY命令的8字节响应表示了LBA的数量和Block的字节长度。为了获得这些信息，我们通过调用CSDread(…)函数从SD卡读取Card Specific Data（CSD）。CSDread函数向SD卡发送SPI命令CSD_READ, 并且将反馈的数据存入全局变量gblCSDReg。卡容量可以通过CSD寄存器的C_SIZE，C_SIZE_MULT和READ_BL_LEN计算获得。

Memory容量＝BLOCKNR*BLOCK_LEN,

BLOCKNR=(C_SIZE+1)*MULT，MULT=2^（C_SIZE_MULT+2）。

Block length（BLOCK_LEN）通过下式计算：

<!--[if !supportLists]-->●     <!--[endif]-->READ_BL_LEN=WRTIE_BL_LEN

<!--[if !supportLists]-->●     <!--[endif]-->BLOCK_LEN＝2^READ_BL_LEN

(frm 注：这篇AN的基本章节就学习到这里了。通过这个AN我们了解了单片机实现USB Mass Storage设备时用到的基本概念和软件的基本流程。后面要通过分析和移植Cypress的例程，真正实现一个类似DFU的USB Mass Storage的设备。)

大家要更加系统的学习USB Mass Storage的知识，可以参考以下的经典书目：

USB Complete: Everything You need to Develop Custom USB Peripherals By Jan Axelson

USB Mass Storage：Designing and Programming Devices and Embedded Hosts By Jan Axelson

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3.1 应用举例－应用SN74LVC2G07实行电平转换

       图6显示了SN74LVC2G07一个Buffer作1.8V到5V的转换，另一Buffer作3.3V到1.8V的转换。

器件的电源电压为1.8V。它可以保证器件将输入最低的VIH识别为有效的高电平。输出上拉电阻的最小值取决于器件开漏脚的最大灌电流能力（maximum current-sinking capability Iol max）。而最大灌电流能力是受限于输出信号的最大允许的上升时间的。

Rpu(min)＝ （Vpu-Vol）/ Iol(max)

对于图6中的SN74LVC2G07，假设Vpu1=5V±0.5V，Vpu2=1.8V±0.15V，而且电阻的精度为5%

Rpu1(min)＝((5.5V-0.45V)/4mA)×(1/0.95)=1.33kΩ

最接近的标称值为1.5kΩ。

Rpu2(min)＝（（1.8V-0.45V）/4mA）× （1/0.95）＝394.73Ω

最接近的标称值为430Ω。

图7显示了在不同上拉电阻值的情况下具有10pF容性负载情况下的输出波形。当上拉电阻值增大后，输出信号的上升时间也增加了。

3.2 不要在CMOS驱动的输出端加上拉电阻

       在电平转换时，系统设计者不能在CMOS器件的输出端加上拉电阻。这种作法有很多弊端，应该避免使用。一个问题是在输出为低时增加了功耗。当CMOS驱动输出为高是也会产生另一个危害。高电平的电源会通过上拉电阻对低电平电源灌电流。此时，下部的N沟道晶体管是关闭的，上部的P沟道晶体管是导通的。电流灌入低电平的电源会产生无法预料的后果。

4 FET开关

  TI的CB3T,CBT,CBTD和TVC系列的总线开关可以用作Level-shifter。FET开关非常适用于不需要电流驱动并有很短传播时延的电平转换应用。

FET开关的好处：

<!--[if !supportLists]-->●     <!--[endif]-->很短的传播时延

<!--[if !supportLists]-->●     <!--[endif]-->TVC器件（或者将CBT器件配置为TVC）不用方向控制就可以实现双向电平转换

   TI的CB3T系列器件可以用于5V到3.3V转换。图9显示了CB3T器件用作双向电平转换的一些应用。

在图9中，SN74CB3T3306被用来连接3V和5V总线。CB3T的电源为3V。当信号从5V总线到3V总线时，CB3T器件将输出电压设置为3V。当信号从3V总线到5V总线时，5V端的输出电压为2.8V。这对于5V TTL器件的Vih电平是可用的。但是这种应用有两个弊端：

<!--[if !supportLists]-->1.       <!--[endif]-->CB3T3306的2.8V的Voh电平降低了5V端的高电平噪声余度（margin）。此时的噪声余度为2.8V-2.0V=800mV。

<!--[if !supportLists]-->2.       <!--[endif]-->因为CB3T器件的输出高电平没有被驱动到VCC的电压轨，5V接收端会出现额外的电源功耗ΔIcc 电流（在第6节会详细讨论ΔIcc）

注意：VCC=3V，TA=25℃，Io=1uA时，Voh电平为2.8V。对于5V CMOS接收端而言2.8V不是有效的Vih电平。因此，CB3T器件不能3V总线向5V CMOS总线的升压转换。

4.1 CBT和CBTD器件

       CBT和CBTD系列器件可以用来作5V系统与3.3V系统的连接。这类器件只能用来作5V CMOS系统与3.3V系统的降压转换。它们还可以用于5V TTL系统与3.3V系统的双向转换。

图10显示了SN74CBT1G384作5V到3.3V的转换。器件的VCC脚与5V电源间必须连接一个外部的二极管。外部的二极管将导通三极管的门电压将为4.3V。再加上Vgs上的1V压降，Pin2上的电压就为3.3V了。增加的二极管可用于将输出置为很低的电压。有时，二极管上的静态电流太小，不能使二极管导通，就需要在二极管与地之间加个电阻R来提供足够的偏置电流。

图11显示了5V转3.3V的波形。从输入端到输出端的传输时延非常小。CBT器件也可以配置为Translation Voltage Clamp(TVC)器件，在双向应用中就不用方向控制了。