<?xml version="1.0" encoding="gb2312"?><rss version="2.0"><channel><title>frm的博客</title><link></link><description></description><language>zh-cn</language><generator>Goodspeed Rss</generator><ttl>16</ttl><pubDate>Wed, 09 Jul 2008 22:18:05 GMT</pubDate><category></category><copyright></copyright><docs></docs><item><title>USB Mass Storage 学习笔记（5）</title><pubDate>Mon, 07 Jul 2008 22:56:12 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/132332/message.aspx</link><description>此外，CBWCB的第一个字节是接收到的命令的操作码。它会用来解码命令并作相应的处理（通过MSDCommandHandler）。有可能有命令不需要作任何数据传输。在这种情况下，Direction位被置为‘0’，MSD_State被设为MSD_DATA_OUT。如果给定的命令不需要数据传输，命令被执行并</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/132332/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>选择正确的电平转换方案(二)</title><pubDate>Mon, 07 Jul 2008 22:37:19 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/132325/message.aspx</link><description>3.1 应用举例－应用SN74LVC2G07实行电平转换 图6显示了SN74LVC2G07一个Buffer作1.8V到5V的转换，另一Buffer作3.3V到1.8V的转换。 器件的电源电压为1.8V。它可以保证器件将输入最低的VIH识别为有效的高电平。输出上拉电阻的最小值取决于器件开漏脚的最大灌电</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/132325/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>USB Mass Storage 学习笔记（4）</title><pubDate>Tue, 01 Jul 2008 07:50:41 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/129973/message.aspx</link><description>接着上节的SCSI 命令。 ● READ（10）（Opcode 28h）READ(10)命令定义了设备服务器读指定的逻辑块（Logical blocks）并且将数据发送到Data-In 缓冲区。READ(10)命令是在第18和第19字节定义了TRANSFER LENGTH的10字节的CBWCB。（参</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/129973/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>USB Mass Storage学习笔记(3）</title><pubDate>Mon, 30 Jun 2008 16:59:35 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/129877/message.aspx</link><description>接着学习Microchip的AN。相关文章的原文在上一篇博客中。 MICROCHIP AN1003 ：USB Mass storage Device Using a PICMCU通信概述本章对SD卡和PC直接的通信进行概述。图4描述了整个系统的框图。 设备驱动被称为“任何负责硬件设备与CPU接口的代</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/129877/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>USB Mass Storage 学习笔记（2）</title><pubDate>Thu, 26 Jun 2008 23:38:14 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/128658/message.aspx</link><description>了解了USB Mass Storage BOT的规范。接下来学习一下Microchip 单片机实现USB Mass Storage设备的经典Application Notes。 MICROCHIP AN1003 ：USB Mass storage Device Using a PICMCU 本文描述</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/128658/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>USB Mass storage 学习笔记（1）</title><pubDate>Wed, 25 Jun 2008 08:15:46 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/128042/message.aspx</link><description>研究USB Mass storage类设备首先要学习USB Mass storage类的规范及其许多有价值的资料。 尤其是：USB Mass storage Bulk Only specCommand/Data/Status Flow shows the flow forCommand transp</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/128042/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>选择正确的电平转换方案(一)</title><pubDate>Sat, 04 Feb 2006 09:56:27 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/129/message.aspx</link><description>新年到，给各位拜年了！！！ 祝大家新年里，事业精进，财源滚滚！选择正确的电平转换方案原著：TI Corp --Application Report SCEA035A 翻译：frm1. 简介 在今天的电子电路系统中电压电平的转换基本成为了必须。例如：一个ASIC的供电为VccA，而I/O器件的供电为V</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/129/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>叹息国内手机Design House的开发能力</title><pubDate>Fri, 30 Dec 2005 20:51:40 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/192/message.aspx</link><description>国内的手机Design house 现在真是如雨后春笋一样。从几千人的规模到几十人的规模。弄的现在市面上的手机种类也是五花八门，水货手机泛滥。大家一定都挺好奇这里面的工程师整天在干啥。就向一个手机设计坛子里的Techfaith工程师说的：&amp;amp;#8220;Debug，一天到晚的Debug。加班，一天到晚</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/192/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>开漏电路特点及应用                                                                                  </title><pubDate>Sun, 19 Jun 2005 12:58:22 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/105/message.aspx</link><description> 在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。本人虽然在念书时就知道其基本的用法，而且在设计中并未遇的过问题。但是前两天有位同事向我问起了这个概念。我忽然觉得自己对其概念了解的并不系统。近日，忙里偷闲对其进行了下总结。 所谓开漏电路概念中提到的“</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/105/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>线性稳压器件：工作原理及比较（五）                                                                  </title><pubDate>Sun, 12 Jun 2005 23:18:45 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/124/message.aspx</link><description>要求低ESR的LDO 国半确实有像LP2985和LP2989这样要求输出电容使用像表明贴装陶瓷电容一样具有超低ESR的电容。这种电容的ESR可以低到5-10mΩ。这样小的ESR会使典型的LDO稳压器引起振荡。（如图18）。 为了使LP2985在使用如此低的ESR时仍能够稳定工作，国半已经在芯片内部通</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/124/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>线性稳压器件：工作原理及比较（四）                                                                  </title><pubDate>Mon, 30 May 2005 21:45:26 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/122/message.aspx</link><description>ESR 和稳定性 通常所有的LDO都会要求其输出电容的ESR在一定范围之内以保证稳压器的稳定性。LDO制造商会提高一系列由输出电容ESR和负载电流组成的定义稳定范围的曲线，如图16所示：  要解释为什么有这些范围存在，我们会使用前面提到的例子来说明ESR的高低对相位裕度的影响。高ESR 同样使用上一</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/122/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>将BMP图像导入PowrPCB的一种方法                                                                      </title><pubDate>Mon, 30 May 2005 09:44:31 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/74/message.aspx</link><description>将BMP图像导入PowrPCB的一种方法步骤一：将原始的彩色BMP图像（例如公司Logo）保存为黑白的BMP文件。方法如下：将文件用Windows画图工具打开，并将其另存为“单色位图”。步骤二：用BMPtoPCB工具将BMP文件生产 Protel99se支持的PCB格式文件。方法如下：A. 打开BM</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/74/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>线性稳压器件：工作原理及比较（三）                                                                  </title><pubDate>Mon, 23 May 2005 20:26:40 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/121/message.aspx</link><description>最近比较忙，帖子可能会续的慢些。还好快写完了。NPN 稳压器补偿 NPN 稳压器的导通管（见图1）的连接方式是共集电极的方式。所有共集电极电路的一个重要特性就是低输出阻抗。也就意味着电源范围内的极点出现在回路增益曲线的高频部分。 由于NPN稳压器没有固有的低频极点，所以它使用了一种称为主极点补偿（d</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/121/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>线性稳压器件：工作原理及比较（二）                                                                  </title><pubDate>Mon, 16 May 2005 17:58:36 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/126/message.aspx</link><description>线性稳压器件：工作原理及比较（二）回路增益（LOOP GAIN） 每个闭环系统都有个特性叫做回路增益。在稳压器的分析中，回路增益定义为反馈信号通过整个回路后的电压增益。为了更好的解释这个概念，LDO的框图（如图2）修改如下： 变压器用来将AC信号发射到‘A’、‘B’点间的反馈回路。应用这个变压器，小</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/126/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>线性稳压器件：工作原理及比较（一）                                                                  </title><pubDate>Sat, 14 May 2005 13:21:26 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/125/message.aspx</link><description>用blog来总结一下学习的成果。希望大家拍砖我认为这篇文章真是NSC的经典，每次细品总有收获。闲来无事，翻成中文，以备后用的。顺便卖弄一下来个连载：）线性稳压器件：工作原理及比较（一）原文： National semiconductor AN-1148.pdf翻译：frm介绍 随着电池供电设备在过去</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/125/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item><item><title>如何利用Allegro实现联网设计PCB？                                                                    </title><pubDate>Thu, 28 Apr 2005 17:05:39 GMT</pubDate><link>http://blog.ednchina.com/frm/72/message.aspx</link><description>Allegro能否实现一个工作组连网设计同一个PCB文件？哪位大虾有相关信息？</description><comments></comments><guid>http://blog.ednchina.com/frm/72/message.aspx</guid><category></category><author>frm</author></item></channel></rss>