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一般在网上只有三极管放大电路的原理，而FET的工作原理很少提及，现在我简单地分析一下它的放大原理：
电路中栅极的直流电位VG是电源电压VDD被偏压电阻R3和R2分压后的电位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。这与三极管发射极接地的放大电路基极直流电位相同。但是由于双极型晶体管中有基极电流流动，所以实际基极电位要比电源被R2和R3分压要低一些。
但对于FET，由于栅极没有电流流过，所以实际的栅极电位就是分压公式所求得的值。
源极的直流电位VS比VG高出栅极源极间电压VGS的值，即：
VS=VG+VGS
实际上，VGS是以源极为基准的，像N沟JFET那样，当源极电位比栅极高应该给VGS置以负号。因此，VS等于将VGS加到VG上时，就成为：
VS=VG-VGS
双极晶体管VBE=0.6V或者0.7V，是能够相互置换的。但是对于FET来说，当器件型号和工作点（ID）不同时，VGS的值是不同的。
流过源极的直流电流Is可以由下式求得：
Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS
漏极的直流电位VD是从电源电压VDD减去RD上的电压降的部分。如果漏极电流的直流成分为ID，则有：
VD=VDD-ID*RD
由于FET的栅极上没有电流流过，ID=IS，所以上式也可以写成：
VD=VDD-Is*RD
下面来求它的交流放大倍数。
由输入Vi引起的源极电流表的交流变化量#is为：
#is=vi/RS
高漏极电流的交流变化量为#id,那么可以认为vd的交流变化量#vd就是#id在漏极电阻RD上的电压降，即：
#vd=#id*RD
又因为漏极电流和源极电流相等，所以#vd为：
#vd=#is*RD=vi/RS*RD
另外，交流输出电压vo是被输出电容C2隔断VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即：
Vo=#vd=vi/RS*RD
所以不难求得：交流放大倍数Av为：
Av=vo/vi=RD/RS
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