模拟电路经典

想做模拟的朋友可以先看看，非常经典呀！

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PSPICE

最近在学习PSPICE仿真，以后希望大家多多指点
上传一份资料，大家共同学习。

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利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性

推荐一篇好文章,

利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题

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三级管总结（转载）

半导体三极管的核心是两个紧靠着的PN结。

1组成PNP（P管）、NPN（N管）

基极：信号输入端 用B表示。

集电极：收集电子端 用C表示。

发射极：发射电子端 用E表示。

2分类：

①     按功率：大功率、中功率、小功率。

②     按频率：高频管、低频管。

③     按管芯材料：硅管、锗管。

④     按用途：放大管、开关管。

3三极管的电流放大作用

①     各极上的电流关系：Ie="Ic"+Ib（节点电流定理）

②     含义：基极电流Ib微小变化控制了集电极电流Ic较大地变化即电流放大原理也称“以小控大原理”。（“以小控大”不是能量的放大）

③     起放大作用的条件：发射结正偏（0.7V）、集电结反偏（1V以上）。

发射极与基极之间的PN结称为发射结，集电极与基极之间的PN结称为集电结。

即Vc〈Vb〈Ve（PNP）      Vc〉Vb〉Ve（NPN）

4三极管的联接方式

①共发射极电路（多用）   ②共基极电路    ③共集电极电路（少用）

5三极管的特性曲线

①     输入特性曲线：

意义：在Vce一定的条件下，来看Vbe与Ib的关系称为输入特性曲线。

当Vce>1V时Vce的变化对输入特性曲线的影响不大（即恒流性，可以用来制做直流稳压电源）。

②     输出特性曲线：

意义：在Ib一定时Vce与Ic之间的关系。

⑴截止区（Ic≈0）：Vbe在死区范围之内Vbe很小，Ib="0"→Ic≈0有少数穿透电流（由少数载流子引起）。当三极管的发射结反偏或两端电压为零时，三极管处于截止状态。

⑵饱和区：△Ib与△Ic不成比例（即Ic不随Ib的增大而变化）。如果三极管后面接有喇叭会出现尖叫声。当三极管的发射结和集电结都正偏时，三极管处于饱和状态。三极管饱和后，饱和压降Vces：硅管约为0.3V，锗管约为0.1V。

⑶放大区（最常用的工作区）：Ic受Ib的控制，即△Ic=β△Ib，具有电流放大作用。当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于放大状态。

⑷总结：截止区：发射结和集电结均反偏。

        饱和区：发射结和集电结均正偏。

        放大区：发射结正偏，集电结反偏。

6三极管的主要参数

①共射极电流放大系数β：β=△Ic/△Ib

②极间反向饱和电流ICBO、ICEO（少数载流子）与温度有关，加装散热片可以减小它。选择时越小越好。

③极限参数：

⑴集电极最大允许电流ICM：IC过大，β就会下降，当β下降到正常值的2/3β时的IC称作ICM。

⑵反向击穿电压：

VCEO：它是基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许反向电压。约为几十伏。超过此值后，若电击穿导致热击穿会损坏管子。

VCBO：它是发射极开路时，集电极与基极之间的最大允许反向电压，通常比VCEO大些。

VEBO：它是集电极开路时，发射极与基极之间的最大允许反向电压，一般在5V左右。

④ 集电极最大允许耗散功率PCM：它是IC与VCM乘积允许的最大值，超过此值三极管会过热而损坏

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关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用（转载）

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[转贴]周立功: 我的25年嵌入式生涯

程序员》杂志的编辑约我写一篇命题作文，想了几天都无从下手不知道写什么才好。在这篇文章里，我不打算将创业的艰辛与喜悦重新回忆一遍，我确实不想去误导大家，因为我所处的年代是一个物质缺乏的年代，成功相对来说要容易得多。每个人的成长经历都有其个性化的东西，每个人的成功创业经验虽然有一些可以遵循的普遍规律，但一般来说都很难复制，成功需要不断地创新。

       对于今天很多的年轻人来说，一味注重技术至上的观念刻骨铭心，其实很多时候努力并非一定有回报。事实上，有不少出类拔萃的人才往往做出来的产品就是卖不掉，因为设计者压根儿就不了解用户的需求和心理以及产品功能的恰当定义，而总想在同事及其老板面前卖弄自己的技术和产品功能。其实有很多思维性的东西恰恰是很多人所忽视的，因为从一开始的出发点就错了，怎么可能取得辉煌的成绩呢？所以有时拥有卓越的技术并不一定代表人生的成功.

它山之石可以攻玉，减少“阶段0”的开发

       有所“创造”确实是人人期待的，令人瞩目的发明虽然激动人心却谈何容易，人们时常将盖茨没有任何爆炸性的发明作为茶余饭后的笑料，我们不妨从另外一个角度去探索微软的成功奥妙从而为我们所用。

       确实不假，盖茨的DOS源代码是从帕特森手上“买”来的。这些年来，我收集了世界各地中英文版有关微软的专著来比较研究，大家仅仅注意到盖茨为建立整个行业架构标准的远见，并叹服盖茨深得市场运作经验的精髓，我认为这些研究成果都是后来者研究微软成功经验，是“牵强附会”不可复制的理论总结。

       当初微软公司还仅仅是一家很稚嫩的公司，可以说生存下去是盖茨作为老板唯一的使命。事实上，正当盖茨决定动手来写IBM所要的OS时，原计划在一年左右完成，但IBM公司只给了他几个月的时间。尽管帕特森的QDOS并不完善错误百出，但为了履行对IBM的承诺，盖茨购买了QDOS改贴标签后卖给了IBM公司。盖茨对此心知肚明，因为他知道如果用一年的时间来做OS的开发，他将失去与巨人IBM的合作机会，那是一种浪费。付一小部分的技术费用没有关系，只要能获得Know-how，获得更高的利润就好了。通过支付权利金引入技术，然后以模仿的方式学习他人的技术，再改造成符合IBM需要即可。

       “买”――只要有现成的就不需要自己开发，这就是盖茨的过人之处，而且恰恰是很多人忽视的地方，值得我们所有人学习和仿效。盖茨就是由于没有“阶段0”，从而大幅度地降低开发风险。

       当年，我是一个人单枪匹马借了2.15万元出来创业的，可以说是负资产，后来才开始有伙伴注资6万元。没有经验怎么办？我有一个非常好习惯，读书从不拘泥于他人的观点，也满足于人云亦云，否则那就是听别人讲故事，那不是您的东西，有入宝山空手而归。我认为，要想成功就必须“研究”成功者的轨迹，向成功者学习。

       下面我会把我“第一桶金”的故事告诉你，这也是尽量减少“阶段0”开发一个非常典型的例子。

       当年，《羊城晚报》几乎每天都有半版广告刊登信息台（听歌、悄悄话等）广告，一打听广告费每天几十万。当时相信不少人在利用公费电话在拨打这些信息台。后来我送货到客户那里发现电话机都外加了一个铁壳并上了一把锁，从看到那一幕开始，我决定做电话加密码锁，锁长途电话0字头，手机、BB机、信息台的9字头。通过朋友介绍，福州某公司有这个技术，于是我打了一个试探性的电话，使用5000元购买方案和源代码，对方非常爽快地同意了。我生怕有变立即坐飞机到福州去，很快就见到了郑新建工程师，他原来在福州某公司工作，我见到他的时候已经离开了福州某公司，但仍然自己写一些产品解决方案，通过福州某公司销售。买到方案与源代码之后，我立即带样机到各地去做测试，发现这台样机兼容性太差，而且市场已经开始在卖的产品也存在同样的问题，我想只要解决好兼容性的问题，如果在任何地区交换机局域网都能够使用，那就是最好的产品不愁没有市场。

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USB 3.0：拓展全新互联标准(转)

英特尔公司宣布正在跟一系列公司携手制定一个把USB的理论吞吐量提高到4Gbps以上的规范，该速率比现有的速率快10倍。USB 3.0规范的目标是在应用层面提供300MBps(字节/秒)的可用速率，并添加新的服务质量性能，以抗衡1394—也称为火线—的互连标准。

    在上世纪90年代初USB标准问世之初，针对键盘和鼠标的USB1.1规范的运行速度小于12Mbps。火线瞄准的是诸如可携式摄像机这样的速率达到100Mbps及以上的视听应用。然而，随着时间的推移，USB已经获得了广泛的应用，速率逼近480Mbps，相比之下，火线的应用远远没有这么广泛。随着在英特尔开发商论坛作出的最新发布，USB的目标就是超越火线。

    英特尔公司的一位工程师说，他们已经在软件仿真中以5Gbps和25Gbps的速率对新协议的基本版本进行了测试。其链路是媒介不明确的，并将运行在铜缆和光缆上。这种称为超速USB的互连目标是为基于闪存的设备提供服务，包括USB驱动器、可携式摄像机以及媒体播放器，它的一个设计目标就是保持与闪存芯片的传输速度并驾齐驱。“我们不想做系统中的瓶颈，”英特尔公司负责监管USB 3.0倡议的高级管理人员Jeff Ravencraft说。

    惠普、微软、NEC、NXP和德州仪器正帮助定义新的规范，预计该规范将在11月于圣何塞举行的两天活动中进行设计回顾。英特尔公司表示，不久将向所有作出贡献的公司发出最终的规范。它希望在明年初完善该规范，并在2009年初推出第一款芯片实现方案。

    USB3.0将采用一种新的物理层，其中，用两个通道把数据传输和确认过程分离，从而达到较高的速度目标。为了取代目前USB所采用的轮流检测和广播机制，新的规范将采用一种包路由技术，并且仅仅容许当终端设备有数据要发送时才进行数据传输。新的链路还将让每一个器件支持多种数据流，并且每一个数据流都能够维持独立的优先级。该功能可被用于在视频传输过程中终止造成抖动的中断。数据流的传输机制也使固有的指令队列成为可能，从而最优化磁盘驱动器的数据传输。

    USB3.0的支持者表示，USB3.0能够取代火线，他们说火线已经失去了诸多公司的支持，如索尼公司已经在可携式摄像机这样的产品中转向采用USB2.0。“大多数人都看到1394正在走下坡路，”帮助定义USB3.0的NEC电子美国公司的高级工程经理Masami Katagiri说。“看来他们取得了巨大的飞跃，然而，对于如此不同的方法，要在2009年初制成芯片可能面临挑战，”定义火线规范的1394贸易协会的执行总监James Snider说。

    目前，各种各样的产品—包括许多外部硬盘驱动器—都采用1394提供最大物理吞吐量达到800Mbps的连接。该组织希望在明年初完成一个规范，将其速率提高到3.2Gbps，Snider表示。

    新的速度评级将继续采用跟定义现行1394b标准一样的电缆和连接器。那些电缆和连接器已经被额定为速度高达10Gbps。他补充说，协会正在考虑制定一个10G火线规范的提议。

苹果公司会“弃暗投明”吗？

    苹果公司已经被邀请加入USB3.0促进者组织，但是，该公司尚未对邀请作出响应。苹果公司一直是火线规范的长期支持者，在其针对媒体应用的iMac产品中，都采用的是火线规范，而那个领域目前超出了USB的势力范围。NEC的Katagiri表示，苹果公司可能被迫转向采用USB3.0，因为英特尔公司目前是它的主要芯片供应商，并将在其芯片组中最终采用USB3.0。然而，USB 3.0面临着挑战。Katagiri表示，该规范或许不得不把目前USB 2.0的5米传输距离缩短为仅仅2米。此外，主控制器将必须具备更为重大的智能，因为它们管理数据传输的路由。另一方面，USB 3.0组织正在寻求一种支持同步数据传输的新技术，以提供比火线更具优势的功能，他补充说道。Snider指出，1394协会一直研究采用火线规范在5/6类电缆和光缆上实现多达100米的传输距离，它还探索了基于同轴电缆的、用于家庭和汽车的火线规范。

    不论USB组织是否能够超越吞吐量，1394的服务质量和上市时间仍然显而易见。在这些参与者当中，许多运行USB 3.0倡议的公司也关注基于超宽带的无线USB的研究工作。

    在英特尔领导两个努力的Ravencraft说：“在我们的规范中有许多新内容。”

    无线USB倡议近日发布了针对其1.1规范的目标。新版本把吞吐量目标从480Mbps提升到在3米的传输距离上实现的1Gbps的吞吐量。

    NEC的Katagiri说，吞吐量目标是一种伸展，因为大多数公司仍然付运数据率仅仅为40Mbps的第一代无线USB器件。“我们必须使该协议更有效率，”Katagiri表示，“如果我们要达到Gbps级的速率，我们将需要至少500Mbps的速率。”

    无线USB 1.1规范将支持无线USB 1.0支持的3-4GHz频段以及6GHz以上频段。它以未泄漏量瞄准较低功耗的应用。它还将采用近场通信技术，让两个设备通过简单的接触而自我彼此之间互相识别。

    目前，USB实现者论坛(USB Implementers Forum)已经认证了一大批符合无线USB 1.0规范的笔记本电脑和网络集线器。WiMedia Alliance有望不久认证第一批符合无线USB 1.0规范的产品。

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全球通信巨头统一手机充电器接口 不兼容中国标准

Hirose公司展示新手机充电器统一接口Micro USB，左右两侧黑色充电器接口为手机用户可看到的外形，袖珍紧凑   9月23日消息，开放移动终端平台组织(OMTP)近日公布了全球统一的手机充电器接口Micro USB，该接口是USB 2.0的一个便携版本，比目前部分手机使用的Mini USB接口更小。摩托罗拉V8、诺基亚8800 Luna\6500 Classic手机已经使用了Micro USB接口，一个接口可进行充电、音频及数据连接，简化了各项操作。 　　OMTP(Open Mobile Terminal Platform)成立于2004年，成员包括联盟的成员包括沃达丰、Orange、T-Mobile、O2、西班牙电信、意大利电信和NTT DoCoMo等主流移动运营商，以及诺基亚、三星电子、摩托罗拉、索尼爱立信和LG电子等主要手机厂商，其推出手机设计参考建议将产生广泛影响。 　　新的Micro USB规范支持手机等移动设备上的USB技术，并且为今后更小、更紧凑的便携设备做好了准备。手机、PDA、数码相机等各种便携设备可以在不经PC中转的情况下进行互联、通信。Micro USB的认证厂商日本Hirose指出，该接口寿命可达到10000次插拔。 　　去年12月，我国信息产业部颁布规范，统一手机充电器接口。这一标准要求的实质是“在变压器加装了USB接口”，手机充电器改为由一根USB数据线和一个带有USB母座的充电器。充电器可以不再成为手机的标准配置，只需USB数据线即可，也可以从PC接口直接充电。 　　OMTP标准在规格上并未与中国标准遵循类似的思路，但同样达到了“统一方便、节约资源”等目的。虽然中国标准并未对“厂家设计的手机接口”(如图)作出规定，但OMTP标准的出台也实质影响信产部强制统一洋品牌手机充电器的计划。       我国信产部推行的手机充电器规范，新款小灵通和手机将配置一根连接线(图右)和一个USB端口的母座充电器(图左)，不同品牌厂商生产的母座充电器将是通用的，以后用户更换小灵通和手机就不用再更换母座充电器。

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100万美元天价手机登场 形似牛角全球发售3部

GoldVish售价100万美元的天价手机 钻石镶满外壳 　　新浪科技讯 9月20日消息，瑞士日内瓦珠宝商GoldVish推出了号称世界最昂贵的手机，标价100万美元，全球限量发售三部。 　　这款EDGE手机由钻石硬壳包裹，背部为鳄鱼真皮，配置方面则性能平平，为200万像素摄像头、蓝牙、并有SD卡扩充插槽。 　　该机型比售价31万美元的宝诗龙(Frédéric Boucheron)Vertu还要昂贵，但并没有透露销售情况，GoldVish标榜每款手机均为限量发售，并常参加“百万富翁展会”推销产品。 背部为鳄鱼真皮 极尽奢华的键盘

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一位用激情经营人生的本土IC创业者（下）

美国创业

如果一个设计工程师已经具备了深厚的技术积累，此外，他还有洞察市场先机的能力，他也有市场经验，他还有很多好的帮手，那他下一步应该干什么？创业！这是很多人的自然想法，不过，很多人都忽视了一个重要的因素。当然，褚以人也不例外。2000年10月的一天，他和几个朋友一起创立的Adaptive RF公司宣告成立了，这是个值得庆祝的日子，他和他的朋友们对未来充满了信心，因为他们有技术，有市场经验，有管理才能。。。，没有人意识到他们忽略了创业中的一个重要因素--大势。

至今还有很多人对2000年的dot com泡沫心有余悸，那是多么的惊心动魄啊，无数公司在对未来的绝望中崩盘、毁灭，虽然它们当中不乏优秀的企业。在这场殃及鱼池的灾难中，褚以人和朋友们成立的Adaptive RF公司也遭遇灭顶之灾。他回忆这段历史时说，虽然这个公司和dotcom没有关系，它主要是设计一种芯片，来解决蓝牙和802.11的干扰问题，但是VC不管这些，他们已经让一泻千里的股市给吓怕了，他们以最快速度抽走了承诺的投资，让一个有美好前景的公司刚一开张走向了灭亡。

2000多年前，孔子曾经教育弟子“君子不立危墙之下！”实际上教育弟子要审时度势，了解大的形势对自己个人的影响。对于无数拥有创业梦想的工程师来说，这是非常重要的一个因素。而上面的例子也验证了这个观点。

创业失利后的褚以人痛定思痛，认真分析了产业的形势，他认为，这次dotcom泡沫的始作俑者应该是通信，经过这么多年的发展，通信未来将不再拥有耀眼的光芒了，而以高性能电视为代表的消费电子将取代通信扮演重要角色。所以，他选择了美国泰鼎公司（Trident Microsystems）作为自己进军消费电子的中转站。当时该公司也正在谋求转型，正从显卡设计转向数字电视，所以很符合他的期望。加盟泰鼎以后，褚以人主要负责其所有芯片的开发工作。他注重以集成更多功能来凸显芯片的竞争优势，这些在现在看来仍具备现实意义。他认为，如果芯片要集成更多功能，就要着重考虑系统的整体性能。

回国创业

2000年以后，随着中国政府加大对集成电路设计产业的支持以后，无数海外华人怀揣技术和梦想回到中国，开始了他们的创业梦想。中国大陆的集成电路设计产业也迎来了发展高潮，最多的时候全国有470余家IC设计公司。如今，7年过去了，在市场大潮的淘汰中，很多公司已经消失了，不过，我们也看到更多的新公司以更务实的方式推进着本土IC设计的发展。这其中就包括褚以人创立的天津英诺华微电子技术有限公司。

2005年5月，旧金山国际机场，在一架即将起程飞往北京的航班上，一对华人夫妇引起了几乎全体乘客的注意--因为那位女士显然即将临产。最后连好奇的空姐都来问：“别人都是去美国生孩子，你们怎么就回中国生孩子？”这对华人就是回国创业的褚以人夫妇。

回忆这段历史，褚以人称：“其实我从2000年就开始关注本土半导体产业，但是根据我的观察，当时很多设计都是模仿或照搬，没有系统的设计。直到04年以后，我看到很多国内OEM厂家开始做ODM，开始有自己设计，尽管是做简单的替代，所以我觉得回来开一个IC设计公司应该是有市场了，所以在05年回来了。”

05年回来后，他先和几个朋友办了另外一家公司。不过，由于投资这个公司的几个股东对公司未来发展有歧义，导致公司经营出现问题。针对这个事例，他表示，对要创业的工程师来说，股东之间需要切实的了解，不能简凭共同的目标就草率合作，这对未来的发展有重大影响。

针对VC，他认为创业的工程师要选择在创业领域比较熟悉的专业VC，这类VC对你创业的领域比较了解，还能提供很多建议，当然，纯粹投资类的VC也可以考虑，因为他们对做投的领域不熟悉，所以管理不多，可以合伙的很好。还有一类VC，只是从商业角度来看投资，而且喜欢参与管理，这就需要一段时间的磨合。

2006年，天津英诺华微电子技术有限公司宣告成立，褚以人担任总经理、首席工程师兼技术总监，在谈到为什么选择把电源管理芯片作为主要研究领域的时候，他表示：“我认为针对电路设计而言，电源领域是个不会衰败的领域，只要有电器就要有电源，而且随着数字电路的增多，工艺的发展，它被集成到大的芯片内的可能性越来越小，因为对电源的要求是主控芯片工作前要稳定，而且它承担的电压比主控芯片要高，随着工艺的发展，电源芯片被集成进主控芯片的可能性越来越小，随着工艺向小尺寸发展，电源管理的功率密度在不断提升，这对目前电源架构提出了新的要求，现在的PWM/PFM等都不适应这样的要求，需要一种新的架构，如数字控制方式，它有很快的响应时间。”对于数字电源的发展，他认为目前采用数字电源的应用不多，主要是用于CPU、GPU等，随着未来3C采用数字电源，其应用会有很大的发展。他认为，单相位的PWM由于外部电感电流限制提供的功率密度有限，其未来的发展会受到来自数字电源的挑战。未来，向数字发展是个趋势。

对于本土一些IC设计公司在产品开发上采取模仿的策略，他表示，由于一些工艺上的原因，模仿的芯片在性能上比不过被模仿的产品，这会在客户心理上留下“二等品”的印象，以后要消除这样的影响比较困难。所以，英诺华从一开始就锁定研发高性能电源管理芯片。他也指出目前无论国内厂商还是国外厂商，电源芯片从整体方案、架构、电路设计及工艺都面临着一个革新， 所以电源芯片机遇合和成长空间都很大，对本土IC设计公司来说是个利好。

随着中国本土OEM设计能力的不断提升，本土IC设计产业会迎来新一轮的发展高潮，我们祝愿所有本土IC公司利用这个绝佳的机会发展壮大，共创中国IC美好未来！

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