某发射机项目中需要一个频率范围为1.75GHz-1.81GHZ，频率步进为200KHz的扫频源。我选择了ADI的ADF4360系列锁相环芯片，该系列芯片内部集成了VCO，封装小巧（4mm*4mm），价格公道（官方批量价格3.06美元，我在人民币升值之前找本地公司买了10片，每片46人民币。注：我说的价格公道是指官方价格，不是指我买的价格;)），文档丰富，即便是对锁相环一窍不通的人，仔细看看文档也能设计出频率源。ADF4360-3满足我们的频率需求，其输出频率范围为1.6GHz-1.95GHz。系统的控制我用单片机，这是第一次用单片机，听说TI的MSP430系列不错，查了查资料，决定选用MSP430F169作为我们发射机项目的控制核心。

本文仅介绍如何用MSP430F169控制ADF4360-3。

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硬件连接
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MSP430F169与ADF4360-3之间的连接只需要3根线，我的是P5.1->DATA，P5.3->CLK，P5.4->LE，如图1所示。

图1 MSP430F169与ADF4360-3硬件连接图

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软件程序
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"The ADF4360 family has a simple SPI-compatible serial inter-face for writing to the device. "

ADF4360-3用与SPI兼容的方式进行通信，不过我用MSP430的SPI与ADF4360-3通信没有成功，时间紧迫，为了1天之内搞出来（因为第二天就要用），于是当天晚上我用单片机的普通IO口模拟SPI的工作方式来和ADF4360-3进行通信，获得了成功。

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#include  <msp430x16x.h>
float fOUT = 1750;
int fREF = 10;
int fPFD = 200;
int R="50";
int NCounter="0";
int PCounter="8";
int BCounter="0";
int ACounter="0";
int N2=0;
int N1=0;
int N0=0;
int bindata[8]={0,0,0,0,0,0,0,0};

void InitSystemClock(void)
{
  unsigned char i;
  BCSCTL1 = RSEL0 + RSEL1 + RSEL2;              
  BCSCTL2=SELM_2+SELS;
  do
  {
  IFG1 &= ~OFIFG;
  for (i = 0xFF; i > 0; i--); 
  }
  while ((IFG1 & OFIFG) != 0);
}

void PortInit(void)
{
 P1SEL=0X00;
 P1DIR=0XFF;
 P2SEL=0X00;
 P2DIR=0XFF;
 P3SEL=0X00;
 P3DIR=0XFF;
 P4SEL=0X00;
 P4DIR=0XFF;
 P5SEL=0X00;
 P5DIR=0XFF;
 P6SEL=0X00;
 P6DIR=0XFF;
 P1OUT=0X00;
 P2OUT=0X00;
 P3OUT=0X00; 
 P4OUT=0X00;
 P5OUT=0X00;
 P6OUT=0X00;
}

void delay(int count)
    {
     while(count!=0) count--;
    }

void MO2(int dbin)
{
    if(dbin==1)
    {
        P5OUT |= BIT1;
    }
    if(dbin==0)
    {
        P5OUT &= ~BIT1;
    }
    P5OUT |= BIT3;
    P5OUT &= ~BIT3;
}

void bin(int n)
{
    int i="0";
    for(i=0;i<8;i++)
    {
        bindata[i]=n%2;
        n="n/2";
    }
}

void data_out(int decidata)
{
    int i="7";
    bin(decidata);
    for(i=7;i>=0;i--)
    {
        MO2(bindata[i]);
    }
}

void set_R(int fref,int fpfd) // fref为晶振频率（单位为MHz），fpfd为鉴相频率（单位为Khz）
{
    int R2 = 0;
    int R1 = 0;
    int R0 = 0;
    fREF = fref;
    fPFD = fpfd;
    R = fREF*1000/fPFD;
    R2 = 0;
    R1 = (R-R&0x003F)/64;
    R0 = (R&0x003F)*4+1;
    P5OUT &= ~BIT4;
    data_out(R2);
    data_out(R1);
    data_out(R0);
    P5OUT |= BIT4;
}

void set_Control(int P)
{
    PCounter = P;
    P5OUT &= ~BIT4;
    if(P == 8)
    {
        MO2(0);MO2(0);
    }
    if(P == 16)
    {
        MO2(0);MO2(1);
    }
    if(P == 32)
    {
        MO2(1);MO2(0);
    }
    MO2(0);MO2(0);MO2(1);MO2(1);MO2(1);MO2(1);
    MO2(1);MO2(1); MO2(1);MO2(1);MO2(1);MO2(0);MO2(0);MO2(1);
    MO2(0);MO2(0); MO2(1);MO2(0);MO2(1);MO2(0);MO2(0);MO2(0);
   
    P5OUT |= BIT4;
}

void set_N(float fOUT) // fOUT为锁相环频综输出频率（单位为MHz）
{
    NCounter = fOUT*(1000/fPFD);
    BCounter = NCounter/PCounter;
    ACounter = NCounter-BCounter*PCounter;
   
    N1 = BCounter&0x00FF;
    N2 = (BCounter-N1)/256;
    N0 = ACounter*4+2;

    P5OUT &= ~BIT4;
    delay(0x18FF);
    data_out(N2);
    data_out(N1);
    data_out(N0);
    P5OUT |= BIT4;
}

void main( void )
{
    WDTCTL="WDTPW"+WDTHOLD;
    InitSystemClock();
    PortInit();
   
    set_R(10,200); // 晶振频率10MHz，鉴相频率200KHz
    set_Control(8); // 此项默认为8
    set_N(1780); // 频综输出频率1780MHz

}

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ADF4360其他系列芯片的控制方法是一样的，可以类推。

问：双模手机的发展趋势对射频前端芯片提出了哪些新要求？

答：双模GSM采用两套基带+两套射频，或者一套基带+两套射频的结构，这两种方式不会射频方案产生新的要求。GSMCDMA2000双模手机面对漫游市场，主要是满足到韩国、日本漫游的需求。由于除了韩国、日本，其他地区有CDMA2000网络的地区或国家也都有GSM网络，因此这种双模手机的量不会太多。现在双模手机最明显的趋势GSM或者EDGE/WCDMA双模，比如3频的WCDMA＋4频的GSM/EDGE。目前，我们已针对这些高端应用提供4频的产品。这样的PA可以是在一个封装中集成一个裸片(die)或者两个裸片，但一般是在一个封装中有两个裸片中，因为如果放一个裸片中，某能频带的效率不太好。因此，集成两个裸片的封装更常见。比如，将850MHz和900MHz的PA功能块放在一个裸片中，而1800MHz和1900MHz的PA功能块放在一个另一个裸片中。

问：手机射频芯片将采用什么样的集成方式？

答：在射频集成趋势方面，我们看到有客户要求针对双模应用将同样频率的PA和其他射频器件放在一个封装内(横向集成)，而是将不同频率的PA封装在一起(纵向集成)。比如，将PA、双工器和RF滤波器集成在一起。这样做的好处是可以降低面积和成本。但射频开关的集成方式则不同，射频开关可能会在GSM端与PA集成。比如在GSM端采用PA+7个或者8、9个端口开关模块，而WCDMA端PA的输出则接到GSM PA+开关模块，通过GSM的开关接到天线。

问：这种集成方式对制造工艺带来什么样的挑战？

答：PA、射频开关等成工艺要求不同，PA一般采用砷化镓(GaAs) HBT双极晶体管，而开关要求很高的线性度，一般采用GaAs pHEMT工艺。这两个工艺可以在同一个工厂做，但很难在一个芯片中做得很好。我们最近提供的一个新流程，可以把两个工艺流程很好地在一个芯片上实现。以后可能会将PA和开关集成在一个芯片上，但目前还是将两者分开更好些。

问：TriQuint公司目前在开发哪些新的射频工艺？

答：TriQuint公司一直注重射频工艺的开发，在砷化镓工艺方面处于业界领先地位。此外，该公司还在开发其他适合更广范围射频应用的工艺，比如高电压砷化镓工艺(可制造100V PA)、氮化镓。氮化镓针对军品应用，目前基站产品多采用LDMOS工艺，但将高电压砷化镓工艺在基站应用上将更有竞争力。最近，TriQuint公司还为设计和制造高性价比高频毫米波产品而推出了最高性能工艺技术TQP13-N。TQP13-N采用了专利的半导体技术，利用栅极光刻工艺取代了传统的电子束，能够大大降低当前毫米波技术的成本。

问：TriQuint是否有针对TD-SCDMA应用的产品？

答：我们的TD-SCDMA的产品还没有正式发布，但已有一些产品在TD-SCDMA基站上使用。在这个领域中，仍是基站用射频产品先出来，然后是手机用射频产品。实际上，我们还针对WiMAX和WiFi提供射频产品，包括滤波器和PA。目前已成为主要芯片制造商使用的WiFi前端模块(EFM)的关键供应商。由于我们的新前端模块将所有的关键器件功能都集成到了一片芯片中，所以减小了MIMO系统的尺寸，增强了性能。WiMAX市场没有那么快起来，但射频方案会提供准备好。

问：能谈一下TriQuint与其他射频方案提供商的最大不同点吗？

答：可以用一句话来归纳，即TriQuint只做射频专家，而不是手机方案专家、天线模块专家。我们专注针对手机、基站、宽带、军事，以及GPS、电视等市场提供全方位的射频方案，包括无源器件、PA，开关、SAW滤波器，而不是仅做PA或者仅做射频开关等。我们也不做基于硅的收发器，因为在手机方案上，已有强大的公司在提供非常好的方案。正因为我们将精力集中在射频方案上，所以我们能又快又好地提供模块化和集成化射频方案。以手机市场为例，虽然我们进入该市场比较晚，但这几年在手机市场的增长率是最快的。

RFMD(RF Micro Devices, Inc.)推出正在申请专利的MicroShield整合 RF 屏蔽技术。通过将 RF 屏蔽技术直接整合到 RFIC 或模块中，RFMD 的MicroShield 整合 RF 屏蔽技术可消除对体积较大、成本较高的外部防护层的需求。这样 RFMD 的 MicroShield 可将 RF 部分的高度和体积要求分别降低 25% 和 50%，并可为客户提供不受板布置影响的元件。

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通过将与外部磁场的接触降至最少，以及防止能量泄漏到主机设备的不必要区域，RFMD 的 MicroShield 整合 RF 屏蔽可降低 EMI 及 RFI 的影响。而且，通过消除对板布置的敏感性，RFMD 的 MicroShield 消除了电路重新调谐风险，从而可缩短产品上市时间以及降低 RF 实施成本。

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使用 MicroShield 的手机制造商将获得更高 RF 性能、更低总体成本、更低板面空间要求及总体 RF 实施轻松性等优势。RFMD 的 MicroShield 整合 RF 屏蔽技术适用于任何模压（over-molded）封装技术，并且在 RFMD 的 POLARIS 3 TOTAL RADIO 解决方案中得到首次应用。