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发表于 2007-9-23 19:19:49

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CE深度饱和电压降的问题

看由晶体管组成的门电路的分析过程中发现一个问题:

首先,书本介绍说硅管饱和状况下,集电极-基区电压降UCES为0.3V,锗管为0.1V.

而后,在此后的门电路分析中,书本写:由于处在深度饱和的状况下,因此UCES为0.1V.并且该管为硅管.

疑惑:是否在深度饱和的情况下电压降与浅饱和情况下不同?两者在饱和电压降上有多大的差别呢?

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