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良好的版图画法能够提高良率
A：
1．多晶硅，金属条，块之间的间距只要有可能就画得比最小间距宽。
2．尽可能多打金属接触孔
3．有源区间距尽可能放宽
4．方块上不要出现slit或小间隙这种画法
5．接触孔，通孔间隔拉开
6．接触孔与通孔距离金属边缘有一段距离
7．避免使用有角度的图形，要么采用阶梯步进形成有一定角度的图形。如果一定要有角度的画法，尽量取135度
8．宽金属层互连的地方打上slit，便于电流流过
B
1．大尺寸器件匹配更好（除非特别大的器件，匹配度降低）
2．将匹配器件尽量靠近，因为匹配度随距离增加而降低
3．采用对称结构提高匹配度（由于工艺梯度的存在，镜像对称并不能减小失配）
4．了解因片上温度变化导致的失调
5．通过放置尽可能多的接触孔和通孔来减小通孔电阻
6．使用冗余电容提高电容匹配度，大电容采用共中心画法
7．采用冗余电阻提高电阻匹配度，成对电阻的版图要求同一方向和同一宽度
8．采用共中心画法提高管子匹配度，要求管子方向相同，电流方向相同。源漏端寄生电容会影响匹配，，附近若有源区，源漏端寄生电容会受影响
9．最小化天线效应，提高管子匹配
10．尽可能地拉开金属间距
系统分类:
模拟技术 | 用户分类:
模拟IC设计 | 来源:
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