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铜连接线可以提高FPGA的性能
铜连接线可以提高FPGA的性能
作者:Christina Nickolas  日期:2000-4-1  来源:今日電子
 
 可编程逻辑器件公司Altera(位于美国加州的San Jose)和半导体制造公司TSMC(位于台湾新竹)共同宣布将进行合作,在今年年底前,用0.13μm工艺和全部金属化层都采用铜的技术生产器件。两公司计划开发一项铜连接线工艺技术提高器件的速度、集成度和性能指标,以满足通信市场的需要。

----铜的电阻低;铜连接线的厚度也可以降低。可以减低许多IC器件中的连接线的延迟。产业界越来越迫切需要用铜来取代铝/钨金属化层;采用铜后对于连接线的厚度和节距可以进行适当的折衷。

----据Altera公司报道,一种用0.18μm工艺技术生产的40万门的实验产品已经获得了相当好的成品率。下一步将采用铜连接线试验0.15μm工艺,接着再以同样的测试芯片试验0.13μm工艺的后段工序。

----0.13μm的铜连接线工艺计划在今年年底就绪。按照该公司的打算,是想为多达八层的金属化层,找出连接线的最佳节距/厚度比值,以求达到最佳的性能。如欲从Altera公司得到更多的信息,请访问网址:http://www.altera.com,查询号:493。如欲从TSMC了解更多的情况,请访问网址:http;//www.tsmc.com


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AMD实现 64 位计算的OpteronTM处理器
AMD实现 64 位计算的OpteronTM处理器
作者:  日期:2003-6-1  来源:今日電子
 
 AMD 推出与业内标准 x86 结构兼容的64位处理器AMD Opteron,这是目前最高性能的2路和4路服务器处理器。

  在美国纽约市举行 AMD Opteron 处理器产品发布会上,IBM宣布将推出一款基于 AMD Opteron 处理器的针对高性能计算的服务器产品。同时,微软也承诺将为这款处理器开发一套 64 位操作系统,测试版 (beta version) 定于 2003 年年中推出。

  专为服务器及工作站设计的 AMD Opteron 处理器首次将x86指令体系(ISA)扩展到 64 位,也是被称为AMD64的新一代计算标准下的新一款处理器。AMD64 是遵循业内标准 x86 ISA 结构的进化路径自然发展而来的新技术,其独特之处是成功将 64 位计算结构集成到 x86 结构之内,使这个统一的新结构可与普遍采用的 x86 结构完全兼容。由于基于 AMD Opteron 处理器的系统可以同时执行目前及未来的软件,从而消除系统升级 64 位计算的障碍,大大简化系统升级的过程。


基于Opteron处理器的系统的优势
  灵活性
  基于AMD Opteron处理器的系统可以通过同时支持32位和64位计算,简化IT转型战略,提供高度的技术灵活性。

  采用了独特的设计,可以全面地向后兼容,从而提供了最大限度的灵活性。不需要对现有软件进行任何改动。

  性能
  基于AMD Opteron处理器的系统可以通过为要求严格的32位和64位企业级应用提供高性能的服务器解决方案,满足用户对于吞吐量的要求。

  AMD Opteron 处理器可以利用创新的设计,减少I/O瓶颈、提高系统带宽和缩短内存延时。这些创新的设计包括:采用了HyperTransport技术的、高度可用的系统;高带宽、高性能的内部集成内存控制器。

  投资保护
  AMD Opteron处理器可以让用户在不牺牲已有的硬件、软件和培训投资的情况下,逐步升级到64位计算,从而简化IT投资计划。

  保障
  AMD Opteron处理器可以通过保障服务器解决方案的兼容性、可靠性和稳定性,简化IT管理流程。

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新型存储器技术有望达到最高速度(图)
新型存储器技术有望达到最高速度(图)
作者:Gary Evan Jensen  日期:2004-1-1  来源:今日電子
 
 美国Tezzaron半导体公司近日发布了一种伪静态存储器原型,据报道,这种器件能实现1.3ns延迟时间,和每个针脚2Gb/s吞吐率。这种存储器增强的速度密度被认为是开发下一代测试设备和高速成像设备以及振兴L2和L3高速缓存的关键。

图4 基于电流变化 而不是电压变化的新型存储器技术能实现2Gb/s吞吐率

  这种叫PSiRAM的器件采用能感知电流变化而不是电压变化的专利三晶体管单元。它由2Mb×16bit组成32Mb器件,工作电压1.2V。0.8V下的工作情况也进行了测试,在0.8V电压下,该器件速度超过400MHz,功耗不到0.125W。
  因为PSiRAM采用标准CMOS逻辑工艺,Tezzaron计划出售该技术许可证,允许该技术用于SoC应用。成批生产预计明年开始,计划明年上半年采用130nm工艺,明年晚些时候采用90nm工艺。
  更多信息请浏览http://www.tezzaron.com。

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LCD技术把喇叭做在玻璃上(图)
LCD技术把喇叭做在玻璃上(图)
作者:Alix L. Paultre  日期:2004-1-1  来源:今日電子
 
 玻璃系统工艺做出压电音频传动器和所需的全部音频电路

---在单块玻璃衬底上做出多个电路大大缩小了产品尺寸和所需功耗。作为显示屏,同时将音频转换器和电源电路做在同一块玻璃上,意味着大规模集成电子产品的时代已经到来。



图 1 System LCD 平板扬声器在同一块衬底上集成了 VGA LCD 和多个扬声器
  日本夏普公司和半导体能量实验室用连续晶粒硅(Continuous-Grain Silicon, CGS)技术把两个截然不同的技术组合在同一块衬底上,开发出了System LCD平板扬声器原型。该产品在4英寸VGA LCD上集成了压电音频传动器和所需的全部音频电路。
  CGS技术在晶粒界面保持原子能级连续,比其他显示屏衬底支持更高的电子迁移率,因而可以在玻璃上做出除显示电路以外的更多电路。把音频和视频功能组合在一个装置中不仅大大缩小了系统尺寸,而且提高了产品可靠性。
  压电音频换能器以英国New Transducers授权的平板扬声器技术为基础。在LCD衬底上制作的分布式模式激励器(DMA)使玻璃表面振动,产生声音。
  除DMA元件外,CGS衬底还有移位寄存器、锁存器、数/模转换器、天线输入前置放大器、音量控制器和功率放大器,为音频电路提供动力和控制。
              更多信息请浏览http://www.sharpsma.com

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芯片冷却工艺消除了CPU的过热点 (图)
芯片冷却工艺消除了CPU的过热点 (图)
作者:Alix L. Paultre  日期:2004-2-1  来源:今日電子
 
 由冷却系统制造商Cooligy公司(位于美国加利福尼亚州Mountain View)开发的有源微通道冷却技术消除了微处理器的过热点--即那些温度特别高的区域(这在采用90nm和更小尺寸的工艺时尤为普遍),其热量高达1000W/cm2。该技术避免了采用无源散热器和散热管道时的局限性,有望使未来的半导体能够适应运行速度更快、功能更加强大的下一代工作站、服务器和高端PC的要求。

 

    与采用性能相当的散热器相比,此项工艺可使占用空间下降30%,特别是能够在下一代应用中取代散热器或散热泵。Cooligy公司的Andy Keane说:“对芯片的真正限制并不是产生的总热量,而是如何在芯片上的一个非常狭小区域内消除这些20W的热点。”
    在尺寸更小的器件应用中,该技术可实现比现有的可能功率更大的功率处理。Keane说:“在一个1U服务器中,您可以装入功能更加强大或数量更多的CPU。”
    这项有源技术包含一个位于微处理器封装顶部的、由经过微细加工的硅片薄层所制成的集热器。硅片上被蚀刻的部分是微通道的极密集区域,它使得液体通过集热器进行循环并最终散失掉。
    一个无噪声固态电动散热泵通过集热器进行液体循环,联结在系统主板上的一个散热器将热量传导至空气中。该技术采用的是非活动元件,适合于水和其他液体冷却剂。
    在散热器或散热泵中,热量通常是在真正的冷区域和热区域之间进行传导的。这项新技术采用了类似于汽车冷却器的方式,从而使液体在冷却器之间往返流动以实现更加均匀的冷却效果。

 
    目前,Cooligy公司正在向那些潜在的客户介绍这项技术,该公司期望很快就能启动从样品到最终产品的转化过程。如欲了解更多信息,请与Cooligy公司联系,电话是001-650-417-0325,电子信箱是andyk@cooligy.com,或访问http://www.cooligy.com/

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邮票大小的全息媒体拥有高达1GB的存储容量 (图)
邮票大小的全息媒体拥有高达1GB的存储容量 (图)
作者:Alix L. Paultre  日期:2004-7-1  来源:今日電子
 
 多层塑料存储技术能够实现每层1.7Gbit/in.的存储容量

---一种新型的大容量存储器存储技术有望提供一种廉价的解决方案,以替代目前使用的硅材料和光数据存储媒体。

NTT公司(位于日本东京Chiyoda-ku)运用其信息多层印制卡(info-MICA)媒体技术研制成功一种存储容量达1GB、尺寸如邮票大小的塑料媒体样品。采用该技术制作的这种存储媒体的每层存储容量高达1.7Gbit/in.,有望取代内部应用中的半导体ROM以及外部数据分配和存储应用中的一次读取媒体。
   该技术基于薄膜全息照相术,全息图的厚度等于(或小于)光的波长,这样即使在基准光源出现波动的情况下也不难满足触发衍射所需的条件(因而可使用价格经济的半导体激光器)。因其结构与云母类似而得名的这种多层构造由相互交错的高折射率层和低折射率层组成,由此形成了一种能够对光线加以约束并防止串扰的波导结构,从而使得这些交错层的数量不受限制。
   在操作过程中,数字数据被编码为二维图像,随后被转换成一幅由计算机生成的全息图,并以超微细凹凸图案记录于媒体的各个波导层。进行数据检索时,用于读取的激光沿着波导传播,经全息图散射后,在与波导平行的平面上生成二维图像,以便由图像传感器进行捕获并解码。
   该项技术所具有的另一个好处是难以制作info-MICA的盗版拷贝,因而使该技术适合于发行拥有版权的多媒体作品。更多信息请与NTT公司的Hideki Sakamoto联系,电话号码是011-81-35205-5391,电子信箱是 hideki.sakamoto@hco.ntt.co.jp,或登录http://www.ntt.co.jp网站。

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硅锗技术使示波器得以实现高性能
硅锗技术使示波器得以实现高性能
作者:  日期:2005-2-1  来源:今日電子
 
一般来说,高端仪器的速度至少应该是客户正在采用的技术的两倍,特别是开发串行计算设备和通信收发机的客户。SiGe技术特别适合专用ASIC所需的高度集成能力,并且与其他高速工艺(如镓砷化物或铟磷化物)实现的晶体管数量相比,SiGe支持的晶体管数量要高得多,成数量级的增加。
---泰克新推出的TDS6000C系列数字存储示波器(DSO)在采集、触发和探测系统中依靠SiGe元器件,成为广泛采用SiGe的示波器,实现了12GHz模拟带宽、15GHz数字带宽的高性能,SiGe技术使其能够对主流数字产品中使用的商用半导体系列保持速度优势。
---泰克新产品中的SiGe ASIC是泰克与IBM持续合作的结果,IBM是世界上最大的SiGe技术供应商,具有目前市场上最先进的0.18μm BiCMOS SiGe技术。两家公司已经开始采用SiGe技术以在泰克的高带宽示波器产品线中实现更高性能,如串行ATA和千兆位以太网等新型高速应用的实时电路分析和调试。此外双方在几个关键领域进行了合作,包括构建测试结构、优化芯片内联以减少噪声和抖动及执行各自的功能验证及测试。结果促成了10 款泰克产品在SiGe平台上的制造,包括2004年初夏开始交付的p7380专用高速探头。

新型SiGe工艺提供了更高的速度和功能,要求更少的功耗
---新型SiGe工艺把高性能SiGe双极晶体管(用来处理高速信号)与用于校准的CMOS器件和其他对速度敏感性较低的任务使用结合起来。ASIC为要求超高频响的应用提供了理想的解决方案,它所达到的集成度远远超过其他超高速的方案。例如,这种集成度可以支持许多不同的触发功能,或支持非常灵活的前置放大器结构,这种结构可以重用于未来的平台中。更高的集成度减少了需要跨越的器件边界,改善了整体信号完整性。这与高端TDS6000C系列示波器的需求是一致的。
---芯片上的六层金属互连结构允许放置精确的传输线,保持信号完整性。它还支持新型功耗分配方案,用来最大限度地减少损耗,降低电路不同部分之间的耦合。重要的是,采用最新工艺制成的器件在某些情况下消耗的功率要低于以前的设备,同时可以使性能提升2~3倍。

封装技术也在大幅度提高
---在10GHz以上的频率上,封装技术以及ASIC之间的、封装和电路板互连的设计至关重要。因此,随着ASIC开发的推进,泰克同时也在改进封装技术。为此,泰克微电子部与IBM和Maxtek密切合作。Maxtek是泰克的一家子公司,专门开发超高性能微电子封装技术。
---泰克开发出了一种创新的基底技术,这种多层基底技术提供了有效的信号逸出和关键信号屏蔽能力,在高频时确保杰出的信号完整性。芯片、封装和系统之间的互连结构和传输已经全面建模;与ASIC一样,泰克建立了这种创新的基底技术测试结构,并根据这些结果中的测量项目提炼了模型。
---由于这种SiGe实现方案和相关封装技术开发,TDS6154C DSO提供了15GHz的带宽,这是目前实时示波器中提供的最高带宽