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内存解释CAS RAS
CAS:
CAS意為列位址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到指令到執行指令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鐘週期。
在整個記憶體矩陣中，因為CAS按列位址管理物理位址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。
程序是這樣的，在記憶體陣列中分為行和列，當指令請求到達記憶體後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，資料被請求後需預先充電，一旦tRAS被啟動後，RAS才開始在一半的物理位址中尋址，行被選定後，tRCD啟始化，最後才通過CAS找到精確的位址。整個程序也就是先行尋址再列尋址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。
因為CAS是尋址的最後一個步驟，所以在記憶體參數中它是最重要的。
RAS（Row Active Time，tRAS）：「列動態時間」
或稱Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。tRAS是：當一顆記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址時，所造成的延遲時序。SPD晶片會記錄此值。
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
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