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发表于:2008-11-11 22:41:11
标签:ARM  

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ARM-AN2410SSB之在Keil中和H-Jtag调试

今天进行了Keil+H-Jtag的仿真调试!按照下图的设置即可!进入选项(怎么进入就不说了)

点击开大图

把Linker中设置如下,道理和设置AXD的一样!

在Keil中配置使用RDI接口

点击“Settings”,进入下面的选项,把H-Jtag添加进入

点击开大图

接着就是进入调试了,“Ctrl+F5”就可以了!

由于我用的是没有授权的版本,所以出现了下面的提示

 

点击确定,就可以了!目标板就可以仿真了!不过注意了,在调试前,一定要把H-Jtag启动,并要找到ARM920T,不然一切都是白忙啊!

在这里添加H-Jtag的使用说明书:rarrar

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发表于:2008-11-11 20:52:06
标签:ARM  

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ARM-AN2410SSB之'中文路径导致的错误'

今天用AXD进行调试的时候,出现了一个错误!

‘c:\documents and settings\“你的用户名”\default-1-2-0-0.ses' could not be loaded

点击开大图

后来在网上查了下,才知道原来是自己的中文路径导致的错误!

解决方法:

1、尽量不要使用中文路径,AXD对中文的支持不太好,会导致这种错误!

2、如果使用了中文,那么就必须重新配置AXD调试软件

在option--configure target中

点击开大图

选择H-Jtag —》configuration

点击‘OK’,再点击‘OK’进行确认!

然后关闭AXD软件,再点击CODE WARRIOR FOR ARM工具栏上的调试按钮,才可以正常启动AXD并调试刚才编译的项目。

这样比较麻烦,我们可以把c:\documents and settings\“你的用户名”\目录下的default-1-2-0-0.ses文件的属性该为“只读”即可!这样在下次遇到中文路径的时候,就不会出现错误提示了!

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发表于:2008-11-6 17:28:24
标签:ARM  

1

ARM-AN2410SSB之LED~GPIO/INT

一、GPIO试验

书中的程序有几处问题,正确为:

#include "2410addr.h"
#define  KEY1 (1<<3)
#define  KEY2 (1<<6)
#define  KEY3 (1<<7)

#define  KEY4 (1<<11)
#define  LED1 (1<<4)
#define  LED2 (1<<5)
#define  LED3 (1<<6)
#define  LED4 (1<<7)
void Main(void){
 unsigned int i,nLED;
 rGPFCON=(rGPFCON&0x00ff)|0x5500;
 rGPGCON=rGPGCON&(~((3<<6)|(3<<14)|(3<<16)|(3<<22)));
 while(1){
  if(rGPGDAT&KEY1){
   rGPFDAT|=LED1;
   }
  else{
   rGPFDAT&=~LED1;
   }
  if(rGPGDAT&KEY2){
   rGPFDAT|=LED2;
   }
  else{
   rGPFDAT&=~LED2;
   }
  if(rGPGDAT&KEY3){
   rGPFDAT|=LED3;
   }
  else{
   rGPFDAT&=~LED3;
   }
  if(rGPGDAT&KEY4){
   rGPFDAT|=LED4;
   }
  else{
   rGPFDAT&=~LED4;
   }
  }
 }
 如果不这样的话,按键的控制会有问题的!

如果出现下面的问题

 

点击看大图

 

可能是2410init.s文件有问题,换一个!重新编译就可以,看下面的图片

有时候会少些文件,最好进行重新编译就会好了的!

其他的操作和前一篇的设置一样就好了!

还有就是直接使用阿南的程序的话,可能会提示缺少文件,这样的话,就要重新编译一下就好了!重新生成相关文件即可!

二、INT

按照书中和前面的设置即可!

还有就是在 make 之后,如果程序无错误,点击第二次 make 则没有信息提示窗口的出现,点击debug进入调试就好了!

key_GPIO:rar

key_INT:rar

在使用我的这里的程序或者阿南提供的程序,可能会出现有关文件不存在,或者路径错误的有关提示。这时,可以把程序再编译一次就好了了。

其他的操作就不提了!

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发表于:2008-11-6 0:24:29
标签:二极管,模电  

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AND电路与OR电路(二极管)

开关二极管的AND电路与OR电路的应用

AND电路,实现数字电路中的‘与’

OR电路,实现数字电路中的‘或’

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发表于:2008-11-5 23:09:56
标签:ARM  

2

ARM-AN2410SSB之LED

rar

按照阿南书中的要求,进行设置,将ARM  Linker——output——RO Base设置为0x30000000,layout——object/symbol设置为2410init.o  section设置为Init

用H-jtag+AXD进行调试,找到内核之后,点击debug进入图示状态

点击开大图

右键选择Interleave Disassembly进入下图,装载地址为30000000

点击开大图

F5后进入主函数main

点击开大图

继续F5,就可以看到跑马灯的效果了!

二、编译bin文件,并用SJF2410烧写

首先,进行如图所示设置

点击开大图

在ARM forELF中设置如下:

点击开大图

当看到下面这句话的时候,就说明bin文件生成成功了!

点击开大图

接着就是烧写到NAND Flash里面了,按照前面NAND Flash的测试方法进行烧写就可以了!不过在这里,我并没有把bin文件放到sjf2410目录下,而是使用了前面提到的第2种命令方法!

点击开大图

烧写成功,复位,看到了走马灯效果,不是跑马灯啊!我把延时变长了,现在不是“跑”,而是“走”了,呵呵!

感谢CCTV,感谢MTV,成功调试并烧写了啊!

重点要感谢阿南,继续加油!恩!

添加启动代码和相关头文件:rar

添加LED工程文件,含bin文件:rar

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发表于:2008-11-5 19:56:53
标签:PCB  

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串扰分析

《印制电路板设计》

串扰:走线、导线、走线和导线、电缆束、元件及任意其他易受电磁场干扰的电子元件之间的不希望有的电磁耦合。

耦合分为:容性耦合和感性耦合

容性耦合:由干扰源上的电压变化在被干扰对象上引起感应电流从而导致的电磁干扰。

感性耦合:由于干扰源上的电流变化产生的磁场在被干扰对象上引起感应电压从而导致的电磁干扰。

因素:

1、电流流向

2、地平面

3、干扰源频率和上升时间

4、两线间距P与两线平行长度L

特性:

1、串扰是线间的信号耦合,在串扰存在的信号线中,干扰源常常也是被干扰对象,而被干扰对象同时也是干扰源。

2、串扰分为后向串扰和前向串扰两种,传输线上任意一点的串扰为二者之和。对于有着理想的地平面的带状传输线,由于它对于感性耦合和容性耦合有着很好的平衡,因此感性耦合与容性耦合产生的电流大小相等、方向相反,从而使得前向串扰相互抵消,后向串扰相对加强。而对于非理想地平面或微带传输线,由于感性耦合的影响要大于容性耦合,从而使得前向串扰极性为负、幅值变大。

3、对于传输周期信号的信号线,串扰也是周期性的。

减小串扰的方法:

1、加大线间距,减小走线平行长度,必要时可以以jog方式走线;

2、串扰大小与线间距成反比,与线平行长度成正比;

3、串扰随电路中负载的变化而变化,对于相同的拓扑结构和布线情况,负载越大,串扰越大;

4、告诉信号线在满足条件的情况下,加入端接匹配可以减小或消除反射,从而减小串扰;

5、对于微带传输线和带状传输线,将走线高度限制在高于底线平面10mil以内,可以显著减小串扰;

6、串扰与先好频率成正比,在数字电路中,信号的边沿变化对串扰的影响最大,边沿变化越大,串扰越大;

7、反向串扰在低阻抗驱动源处会向远端反射;

8、对于多条平行线的情况,其中某一线上的串扰为其他各条线各自对其串扰的综合结果,某些情况下,串扰可以对消;

9、在布线空间允许的条件下,在串扰较严重的两条线之间插入一条地线,可以起到隔离的作用,从而减小串扰。

系统分类: PCB   |    用户分类:    |    来源: 整理

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发表于:2008-11-4 20:44:59
标签:ARM  

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ARM-AN2410SSB的NAND Flash测试

今天进行了AN2410SSB的NAND Flash的测试,第一次烧写到flash里面的时候,一切正常。按照书中的选项,一直选'0'。

点击开大图

当到达

时,程序开始向flash里面烧写,需要等待一定时间,当出来后面的选项的时候,就说明bin文件烧写完毕。

在这之后,我用DNW来查看,并没有出现预定的结果,几次复位之后,依然没什么反应,就只好重新烧写一次。说实话,我也不明白哪里出了什么问题。不过嘛,如果不行的话,那就重新烧写一次就好了。如果说几次烧写都不行的话,那就有问题了啊!

在第2次烧写之后,我的DNW上出现了书中的结果

点击开大图

完毕!

这下终于结束了板子上的核心部分的一些硬件调试了!

接下来就要开始第5章的学习啊!

此外,还有几点一定要注意了!

1.在上面打开sjf2410的目录之后,我们要输入

sjf2410 /f:2410loader.bin

在这里需要注意的是 /f:  并不是盘符!而是文件‘File’的意思。要记住:不要理解为盘符了!

2.最好把bin文件放在与sjf2410相同的目录下!如果不放在同一个目录下,会比较麻烦的哦!据个例子把:

比如说把2410loader.bin放在C盘目录下,那么正确的命令为:

sjf2410 /f:c:\2410loader.bin

如果不注意这几点的话,就会出现一些错误:

(1)ERROR:Source file name is not valid.

(2)ERROR:unknown option /c is detected.

在这里添加SJF2410的附件下载:

rar

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发表于:2008-11-4 18:12:37
标签:印制电路板,pcb  

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印制电路板的元件选择

《印制电路板设计》

一、电阻

1、贴片电阻具有低寄生参数,优先选择。

2、对于有引脚的电阻:

      按照选择顺序为:碳膜电阻、金属膜电阻、绕线电阻。

      (1)在相对低的工作频率下(约MHz数量级),金属膜电阻是主要的寄生元件,适合于高功率密度或高精度的电路中。

      (2)绕线电阻有很强的电感特性,对频率敏感的应用中不能用它,最适合用在大功率处理的电路中。

      (3)在高频环境下,电阻的阻抗会因为电阻的电感效应而增加,因此增益控制电阻的位置应该尽量靠近放大器电路,以减少电路板的电感。

      (4)在上下拉电阻的电路中,晶体管或集成电路状态的快速切换会导致振荡,为减少影响,所有的偏置电阻尽肯那个靠近有源器件及其电源和地,以减小PCB连线的电感。

      (5)在校准电路或参考电路中,直流偏置电阻应尽可能地靠近有源器件以减小耦合效应。

      (6)在RC滤波网络中,绕线电阻的寄生电感很容易引起本机振荡,必须考虑由电阻引起的电感效应。

二、电容

1、贴片电容

2、铝电解电容:一般只是在单板电源部分使用。它由绝缘层之间以螺旋状缠绕金属箔构成,特点是单位体积电容值较大,但是也使得该部分的内部感抗增加。适用于低频终端,主要是存储器和低频滤波器。

3、钽电解电容:芯片附近。它由一块带直板和引脚的连接点的绝缘体制成,其内部感抗低于铝电解电容。适用于低频终端,主要是存储器和低频滤波器。

4、陶瓷电容:芯片附近。在陶瓷绝缘体中包含多个平行的金属片。主要寄生是片结构的感抗,这将在频率低于MHz的区域造成阻抗。比较适合中频范围,常用于去耦电路和高频滤波,特殊的低损耗陶瓷电容和云母电容适合于甚高频电路和微波电路中。

功能:

(1)旁路电容:提高系统配电的质量,降低在印制电路板上从元器件电源、地脚转移出不想要的共模射频能量。主要功能是产生一个交流分路,从而消去进入易感区的那些不需要的能量。

旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

(2)去耦电容:提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播,并将噪声引导到地平面。

(3)储能电容:可为芯片提供所需的电流,并能够将电流的变化局限在较小的范围内,从万恶能够减小辐射。

(4)滤波电容:用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。

旁路与去耦的区别:

http://www.eepw.com.cn/article/74281.htm

http://blog.sina.com.cn/s/blog_535ee8ad01009x2a.html

http://bbs.hifidiy.net/viewthread.php?tid=137543

在电路板的电源接入端放置一个1~10μF的电容,滤除低频噪声;

在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01~0.1μF的电容,滤除高频噪声

三、电感

1、开环电感:

2、闭环电感:

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发表于:2008-11-3 10:54:11
标签:ARM  

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ARM-AN2410SSB的内核测试(续)

今天收到阿南回复的短信,终于明白了multiice-server不能检测到内核的原因了!multiice-server对AN2410SSB内核的检测需要multiice硬件仿真器啊!

这下就想开了啊!不用一直盘旋再这个内核检测这里了!因为我用H-Jtag检测到了内核ARM920T了(见上篇)!

点击看大图

此外,阿南在书上的P82上的4.4节的第一段就写到

连接好硬件仿真器与目标板且上电后,启动Multi-ICE Server

开始看的时候没怎么注意硬件仿真器,以为就是sjf2410 Jtag小板,原来是打错特错啊!现在就不用管了啊!

我们可以先用H-Jtag对内核进行检测,并且进行AXD+H-jtag的调试!

还有就是用SJF2410进行程序的烧写!

另外附上multiice-server的使用手册!

pdf

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发表于:2008-10-31 21:57:27
标签:ARM  

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ARM-AN2410SSB的内核检测

一、问题现象:

http://group.ednchina.com/999/17963.aspx

1.

4个LED有2个灯亮,最左边和最右边的,最右边的个一直闪烁,最左边的一直亮着。

2.用串口检测显示正常,点击开大图

3.修改了BIOS里面的选项,ECP/EPP/ECP&EPP

4.用multi-ICE检测

点击开大图

点击开大图

5、用H-JTAG检测

点击开大图

6.用万用表检测Jtag接口的电压

nTRST、TDI、TMS、TCK都在3.3V左右点

TDO为0.94V

7.R22两端小了点,不太好测,好像是2mv左右

二、处理:

根据论坛上gordenwen的提示,找到了这样一个话题:

http://group.ednchina.com/999/15749.aspx

结果设置如下:

可能是我版本比原作者的高把,多了个TCK Speed,但是把他设置在3以上就可以检测到内核了。

在这之后,就出现了内核了啊!

点击看大图

 

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