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发表于:2008-11-6 15:15:21
标签:DC-DC模块电源的选择(一)  

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DC-DC模块电源的选择(一)

DC-DC模块电源的选择(一)

DC-DC模块电源的选择(一)

DC/DC模块电源以其体积小巧、性能卓异、使用方便的显著特点,在通信、网络、工控、铁路、军事等领域日益得到广泛的应用。很多系统设计人员已经意识到:正确合理地选用DC/DC模块电源,可以省却电源设计、调试方面的麻烦,将主要精力集中在自己专业的领域,这样不仅可以提高整体系统的可靠性和设计水平,而且更重要的是缩短了整个产品的研发周期,为在激烈的市场竞争中领先致胜赢得了宝贵商机。那么,怎样正确合理地选用DC/DC模块电源呢,笔者将从DC/DC模块电源开发设计的角度,谈一谈这方面的问题,以供广大系统设计人员参考。

电源模块选择需要考虑的几个方面

额定功率
封装形式
温度范围与降额使用
隔离电压
功耗和效率

额定功率   一般建议实际使用功率是模块电源额定功率的3080%为宜(具体比例大小还与其他因素有关,后面将会提到。),这个功率范围内模块电源各方面性能发挥都比较充分而且稳定可靠。负载太轻造成资源浪费,太重则对温升、可靠性等不利。所有模块电源均有一定的过载能力,但是仍不建议长时间工作在过载条件下,毕竟这是一种短时应急之计。

封装形式   DC/DC变换器的外形尺寸和输出形式差异很大。小功率产品采用密封外壳,外形十分纤小;大功率产品常采用quarter-brickhalf-brick的形式,电路或暴露,或以外壳包裹。在选择时,需要注意以下两个方面:第一,引脚是否在同一平面上;第二,是否便于焊接。   SMT形式的变换器必须要符合IEC191-6:1990标准的要求,该标准对SMT器件引脚的共面问题做出了严格限定。器件引脚不共面会造成器件装配时定位困难,严重影响焊接质量,提高次品率。   SMT形式的变换器应能承受规定的焊接条件。对于绝大多数现代流水线而言,器件必须满足CEC00802标准所规定的回流焊要求,即器件表面温度可超过300。如果变换器不能满足这个要求,就需要为其设计专门的焊接装配工艺,这会增加装配时间,提高生产成本。

封装形式   模块电源的封装形式多种多样,符合国际标准的也有,非标准的也有,就同一公司产品而言,相同功率产品有不同封装,相同封装有不同功率,那么怎么选择封装形式呢?主要有三个方面: 一定功率条件下体积要尽量小,这样才能给系统其他部分更多空间更多功能; 尽量选择符合国际标准封装的产品,因为兼容性较好,不局限于一两个供货厂家; 应具有可扩展性,便于系统扩容和升级。选择一种封装,系统由于功能升级对电源功率的要求提高,电源模块封装依然不变,系统线路板设计可以不必改动,从而大大简化了产品升级更新换代,节约时间。全部符合国际标准,为业界广泛采用的半砖、全砖封装,与VICOR LAMBDA等著名品牌完全兼容,并且半砖产品功率范围覆盖50200W,全砖产品覆盖100300W

温度范围与降额使用   一般厂家的模块电源都有几个温度范围产品可供选用:商品级、工业级、军用级等,在选择模块电源时一定要考虑实际需要的工作温度范围,因为温度等级不同材料和制造工艺不同价格就相差很大,选择不当还会影响使用,因此不得不慎重考虑。可以有两种选择方法:一是根据使用功率和封装形式选择,如果在体积(封装形式)一定的条件下实际使用功率已经接近额定功率,那么模块标称的温度范围就必须严格满足实际需要甚至略有裕量。二是根据温度范围来选,如果由于成本考虑选择了较小温度范围的产品,但有时也有温度逼近极限的情况,怎么办呢?降额使用。即选择功率或封装更大一些的产品,这样大马拉小车,温升要低一些,能够从一定程度上缓解这一矛盾。降额比例随功率等级不同而不同,一般50W以上为310W/。总之要么选择宽温度范围的产品,功率利用更充分,封装也更小一些,但价格较高;要么选择一般温度范围产品,价格低一些,功率裕量和封装形式就得大一些。应折衷考虑。
商品级(0 +70 )
工业级(-40 +85 )
军用级(-55 +125 )

变频与定频   和所有开关型器件一样,DC/DC变换器在工作时会产生噪声,因此滤波性能的好坏也是重要的选型依据。集成化的DC/DC变换器通常采用的是变频开关技术或是定频开关技术。   采用变频开关技术的变换器由于要根据负载状况进行不断调整,所以会导致频带展宽,增加滤波器的复杂度。而定频开关变换器在这方面则简便许多,甚至可以使用LC滤波器。

工作频率   一般而言工作频率越高,输出纹波噪声就更小,电源动态响应也更好,但是对元器件特别是磁性材料的要求也越高,成本会有增加,所以国内模块电源产品开关频率多为在300kHz以下,甚至有的只有100kHz左右,这样就难以满足负载变条件下动态响应的要求,因此高要求场合应用要考虑采用高开关频率的产品。另外一方面当模块电源开关频率接近信号工作频率时容易引起差拍振荡,选用时也要考虑到这一点。

隔离度   绝大多数的电路都必须实现隔离,即将负载连同负载对本地电源的噪声与电网的其他负载和噪声隔开。只有隔离变换器能够达到这个要求。   采用隔离变换器除了实现上述要求之外,还可以实现差分形式的输出,以及双极型输出(见图)   此外,将隔离型变换器的输出高压端与负载的电源地相连,就形成了负电源。由于电压参考点不是地,因此负载可以获得更高的电压。   采用隔离型变换器的另一个妙处是:可以将多个具有不同输出电压的变换器级联起来,构成一个电源。对于那些单个变换器的输出电压达不到工作电压要求的设备,这种特性非常有用。   在一定时限内(通常是1)变换器所能承受的、施加在输入端和输出端之间的最高电压,称为变换器的隔离强度。而变换器的额定工作电压是指变换器能长时间承受的加在输入端的电压,这个电压低于隔离强度。   在选择隔离型变换器时还需要考虑器件的泄漏电流指标,泄漏电流是指因输入回路和输出回路之间的耦合电容而产生的电流。只要给定隔离电容的值,并且确定噪声频率,就可以根据阻抗计算出泄漏电容的大小。   泄漏电流随噪声电压的增加而增大,随隔离电容的减小而减小。因此,设计低噪声电源时,应该选择隔离强度高而隔离电容低的DC/DC变换器,以减小泄漏电流。

通常在医疗设备里需要很高的隔离电压,这样的话,漏电流就小,对身体的危害就小.  一般场合使用对模块电源隔离电压要求不是很高,但是更高的隔离电压可以保证模块电源具有更小的漏电流,更高的安全性和可靠性,并且EMC特性也更好一些,因此目前业界普遍的隔离电压水平为1500VDC以上。


什么是电涌?
电涌被称为瞬态过电,是电路中出现的一种短暂的电流、电压波动,在电路中通常持续约百万分之一秒。220 伏电路系统中持续瞬间(百万分之一秒) 5,00010,000伏的电压波动,即为电涌或瞬态过电。
电涌的来源:
简单而言,来自两个方面:外部电涌和内部电涌。
来自外部的电涌: 最主要的来源是雷电。当云层中有电荷集蓄,云层下的地表集蓄了极性相反的等量电荷时,便发生了雷电放电,云层和地面间的电荷电位高达若干百万伏,发生雷击时,以若干千安计的电流通过雷击放电,经过所有的设备和大地返回云层,从而完成了电的通路。不幸的是,通路常常是取道重要或贵重的设备。如果雷电击中了附近的电力线,部分电流将沿线进入建筑物,这股巨大的电流就会直接扰乱或破坏计算机和其它敏感的电气设备,其速度之快,全程只需百万分之一秒。
外部电涌的另一个来源是电力公司的公用电网开关在电力线上产生的过电压。
来自内部的电涌: 88%的电涌产生于建筑物内部的设备,如:空调、电梯、电焊机、空气压缩机、水泵、开关电源、复印机和其它感应性负荷。 电涌对计算机和其它敏感电气设备的危害:
计算机技术发展至今,多层、超规模的集层芯片,电路密集,趋向是集成度更高、元器件间隙更小、导线更细。几年前,一平方厘米的计算机芯片有 2,000个晶体管而现在的奔腾机则超过10,000,000个。从而增加了计算机受电涌损坏的概率。
由于计算机的设计和结构决定了它应在特定的电压范围内工作。当电涌超出计算机能承受的水平时,计算机将出现数据乱码,芯片被损坏,部件提前老化,这些症状包括:出乎预料的数据错误,接收/输送数据的失败,丢失文档,工作失常,经常需要维修,原因不明的故障和硬件问题等等。
雷电电涌远远超出了计算机和其它电气设备所能承受的水平,绝大多数情况下,造成计算机和其它电器设备的当即毁坏,或数据的永远丢失。即使是一个20马力的小型感应式发动机的启动或关闭也会产生3,0005,000伏的电涌,使和它共用同一配电箱的计算机在每一次电涌中都会受到损坏或干扰,这种电涌的次数非常频繁。
电涌会损坏那些电气设备?
含有微处理器的电气设备极易受到电涌的损坏,这包括计算机和计算机的辅助设备、程序控制器、PLC、传真机、电话、留言机等;程控交换机、广播电视发送机、微波中继设备;家电行业的产品包括电视、音响、微波炉、录像机、洗衣机、烘干机和电冰箱等。美国的调查数据表明,在保修期内出现问题的电气产品中,有63%是由于电涌造成的。
电涌的来源
  电涌可来自电气装置外部,也可来自电气装置内部,即来自电气装置内的电器设备。
  来自外部的电涌 这种电涌由雷电或公用电网开关的投切引起,这两类有害的电源扰动都可扰乱计算机和微机信息处理系统的工作,引起停工或永久性设备损坏。
  当云层上有电荷储蓄,云层下表面产生极性相反的等量电荷时,将引起雷电放电。其后的情况就象一个大电池组或一个大电容器的放电那样,云层和地面间的电荷电位高达若干百万伏。发生雷击时以若干千安计的电流通过雷击放电,经过所有设备和大地返回云层,从而完成电的通路。不幸的是这个雷电通路常常取道重要或贵重的设备。电涌防护的关键概念是给雷电感应电流提供一个通向大地的短捷有效的通路。这样雷电涌流将从设备外分流。
大的雷击电流值常被例举应用,其实它发生的可能性很小。如Bellcore公司的工程师们将电涌防护器的泄放电流规定为20000A(见参考资料TR-NWT-001011)。虽然他们按经验将出现在其电气设备装置中的最大尖峰电流定为10000A,他们仍取100%的安全系数,即将电涌防护器的泄放电流规定为2000A
  在线路高度暴露地段发生21A的雷击电流(有记录的最大值之一)的机会只占总雷击机会的0.5%。如此大的雷击电流极少出现在建筑物电源进线处,但仍须重视对这种外来电涌的防范。
  来自内部的电涌 来自内部的电涌是经常发生的,诸如来自空调机、空压机、电弧焊机、电泵、电梯、开关电源和其它一些感性负荷的电涌。例如一台20hp的感应电动机(线电压230V4级,Y结线)在最大转矩时每相具有约39J的储存能量,当其标称方根值电流被截断时,它将产生瞬态过电压。它经常发生,和它自同一配电箱供电的其它负荷将因此易受损坏或工作失常。   不要以为电气装置电源进线上的过电压防护器可以保护电气设备不受内部电涌的危害。它不能,它只能对沿电源线进入电气装置的外部电涌进行防范,因大容量的进线防护器距内部电涌发生处的距离太远。

平均故障间隔时间   很多DPA系统都要求高度的可靠性,这就对平均故障间隔时间(MTTF)提出了要求。在这里要提醒读者,仅凭产品说明书上的数据是不能评价某个产品可靠性的优劣的。   造成这个问题的原因是,目前国际上尚未制定出公认的关于MTTF指标的定义和计算标准,各厂商普遍使用的是美国军用标准MIL-HDBK-217F中的一般情况下的可靠性预测方法,以及Bellcore标准TR-NWT-000332中的电信设备模型。不过,即便是声称遵照同一标准推算出来的MTTF指标,常常也不一致。   这种不一致的第一个来源,是计算公式中对元器件特性的处理方式不同(例如某些算式将焊接点的影响忽略不计,而焊接点故障是电路失效的最常见原因之一);来源之二是元器件的可靠性指标。举个例子,某些厂商采用MIL-HDBK-217F中的器件数据和故障率数据,另外一些厂商则采用其他渠道的数据;第三个来源是具体的计算方法差异(即便是MIL-HDBK,也给出了两种不同的预测工具)。当然,在变换器投入使用之前,任何MTTF指标都毫无意义。   温度对可靠性有显著的影响,经验公式是:环境温度每升高10,器件寿命将缩短一半。如果主要的设备需要在4050条件下运行,并且电源部件的温度高于环境温度20,那么,25条件下推算出来的MTTF指标就失去了意义。   实践证明,设计人员必须透过产品说明书的数据,深入地理解厂商推算MTTF的方法。必须去查询推算的详细步骤,知道原始数据的来源及其测量条件,对于那些无法提供详细资料的厂商,应该对其指标持保留态度。

C
的模块的MTBF增大20%。而在较高的温度下,MTBF迅速下降。因此尽量降低模块的温度对提高其可靠性有很大好处°  本公司提供的可靠性参数MTBF是根据MIL-HDBK217可靠性预测的标准计算出来的,在计算过程中考虑现代器件的发展状态,根据一些厂家提供的可靠性指标进行了一定的修正。这里温度是影响电源模块整体可靠性的重要因素。一般每降低10

有关统计数据表明,模块电源在预期有效时间内失效的主要原因是外部故障条件下损坏。而正常使用失效的机率是很低的。因此延长模块电源寿命、提高系统可靠性的重要一环是选择保护功能完善的产品,即在模块电源外部电路出现故障时模块电源能够自动进入保护状态而不至于永久失效,外部故障消失后应能自动恢复正常。模块电源的保护功能应至少包括输入过压、欠压、软启动保护;输出过压、过流、短路保护,大功率产品还应有过温保护等。

功耗和效率    根据公式  ,其中PinPoutP耗分别为模块电源输入、输出功率和自身功率损耗。由此可以看出,输出功率一定条件下,模块损耗P耗越小,则效率越高,温升就低,寿命更长。除了满载正常损耗外,还有两个损耗值得注意:空载损耗和短路损耗(输出短路时模块电源损耗),因为这两个损耗越小,表明模块效率越高,特别是短路未能及时采取措施的情况下,可能持续较长时间,短路损耗越小则因此失效的机率也大大减小。当然损耗越小也更符合节能的要求。

软开关技术:为提高变换器的变换效率,各种软开关技术应用而生,具有代表性的是无源软开关技术和有源软开关技术,主要包括零电压开关/零电流开关(ZVS/ZCS)谐振、准谐振、零电压/零电流脉宽调制技术(ZVS/ZCS-PWM)以及零电压过渡/零电流过渡脉宽调制(ZVT/ZCT-PWM)技术等。采用软开关技术可以有效的降低开关损耗和开关应力,有助于变换器变换效率的提高。

稳压精度
Line Regulation
:指输入电压在最高和最低之间变化时,输出电压的波动范围。
      
举例: 一个12V输入,5V输出的电源模块,当输入变化1.2V,而输出变化0.5V,这样它的线性调整率就是1.2/12  / 0.5/5*%/%,等于1%/%

Load Regulation
:电源负载的变化会引起电源输出的变化,负载增加,输出降低,相反负载减少,输出升高。
      
举例:一个48V输入,5V输出的电源模块,在稳定输入的情况下,0负载下输出为5V100%负载下输出为5.1V,这样它的负载调整率为0.1/5,即2%
      
一般来说负载/线性调整率差不多0.1%~0.5%左右。这个指标是衡量输出电压精度的

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发表于:2008-10-20 12:27:56
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I2C总线原理及应用实例

I2C(Inter-Integrated Circuit)总线是一种由PHILIPS公司开发的两线式串行总线,用于连接微控制器及其外围设备。I2C总线产生于在80年代,最初为音频和视频设备开发,如今主要在服务器管理中使用,其中包括单个组件状态的通信。例如管理员可对各个组件进行查询,以管理系统的配置或掌握组件的功能状态,如电源和系统风扇。可随时监控内存、硬盘、网络、系统温度等多个参数,增加了系统的安全性,方便了管理。
  1  I2C总线特点
  I2C总线最主要的优点是其简单性和有效性。由于接口直接在组件之上,因此I2C总线占用的空间非常小,减少了电路板的空间和芯片管脚的数量,降低了互联成本。总线的长度可高达25英尺,并且能够以10Kbps的最大传输速率支持40个组件。I2C总线的另一个优点是,它支持多主控(multimastering), 其中任何能够进行发送和接收的设备都可以成为主总线。一个主控能够控制信号的传输和时钟频率。当然,在任何时间点上只能有一个主控。
 
2  I2C总线工作原理
  2.1 总线的构成及信号类型

  I2C总线是由数据线SDA和时钟SCL构成的串行总线,可发送和接收数据。在CPU与被控IC之间、IC与IC之间进行双向传送,最高传送速率100kbps。各种被控制电路均并联在这条总线上,但就像电话机一样只有拨通各自的号码才能工作,所以每个电路和模块都有唯一的地址,在信息的传输过程中,I2C总线上并接的每一模块电路既是主控器(或被控器),又是发送器(或接收器),这取决于它所要完成的功能。CPU发出的控制信号分为地址码和控制量两部分,地址码用来选址,即接通需要控制的电路,确定控制的种类;控制量决定该调整的类别(如对比度、亮度等)及需要调整的量。这样,各控制电路虽然挂在同一条总线上,却彼此独立,互不相关。
  I2C总线在传送数据过程中共有三种类型信号, 它们分别是:开始信号、结束信号和应答信号。
  开始信号:SCL为高电平时,SDA由高电平向低电平跳变,开始传送数据。
  结束信号:SCL为低电平时,SDA由低电平向高电平跳变,结束传送数据。
  应答信号:接收数据的IC在接收到8bit数据后,向发送数据的IC发出特定的低电平脉冲,表示已收到数据。CPU向受控单元发出一个信号后,等待受控单元发出一个应答信号,CPU接收到应答信号后,根据实际情况作出是否继续传递信号的判断。若未收到应答信号,由判断为受控单元出现故障。
  目前有很多半导体集成电路上都集成了I2C接口。带有I2C接口的单片机有:CYGNAL的 C8051F0XX系列,PHILIPSP87LPC7XX系列,MICROCHIP的PIC16C6XX系列等。很多外围器件如存储器、监控芯片等也提供I2C接口。
  3  总线基本操作
  I2C规程运用主/从双向通讯。器件发送数据到总线上,则定义为发送器,器件接收数据则定义为接收器。主器件和从器件都可以工作于接收和发送状态。 总线必须由主器件(通常为微控制器)控制,主器件产生串行时钟(SCL)控制总线的传输方向,并产生起始和停止条件。SDA线上的数据状态仅在SCL为低电平的期间才能改变,SCL为高电平的期间,SDA状态的改变被用来表示起始和停止条件。参见图1。

 

图1 串行总线上的数据传送顺序

 3.1 控制字节
  在起始条件之后,必须是器件的控制字节,其中高四位为器件类型识别符(不同的芯片类型有不同的定义,EEPROM一般应为1010),接着三位为片选,最后一位为读写位,当为1时为读操作,为0时为写操作。如图2所示。

图2 控制字节配置

3.2 写操作
  写操作分为字节写和页面写两种操作,对于页面写根据芯片的一次装载的字节不同有所不同。关于页面写的地址、应答和数据传送的时序参见图3。

图3 页面写

3.3 读操作
  读操作有三种基本操作:当前地址读、随机读和顺序读。图4给出的是顺序读的时序图。应当注意的是:最后一个读操作的第9个时钟周期不是“不关心”。为了结束读操作,主机必须在第9个周期间发出停止条件或者在第9个时钟周期内保持SDA为高电平、然后发出停止条件。

图4 顺序读

 4  实例:X24C04与MCS-51单片机软硬件的实现
  X24C04是XICOR公司的CMOS 4096位串行EEPROM,内部组织成512×8位。16字节页面写。与MCS-51单片机接口如图5所示。由于SDA是漏极开路输出,且可以与任何数目的漏极开路或集电极 开路输出“线或”(wire-Ored)连接。上拉电阻的选择可参考X24C04的数据手册。下面是通过I2C接口对X24C04进行单字节写操作的例程。流程图及源程序如下:

图5 X24C04与51单片机接口

;名称:BSENT
;描述:写字节
;功能:写一个字节
;调用程序:无
;输入参数:A
;输出参数:无
BSEND: MOV R2,#08H ;1字节8位
SENDA: CLR P3.2    ;
RLC A              ;左移一位
MOV P3.3,C         ;写一位
SETB P3.2
DJNZ R2,SENDA      ;写完8个字节?
CLR P3.2           ;应答信号
SETB P3.3
SETB P3.2
RET

图6 流程图

 5  结束语
  在I2C总线的应用中应注意的事项总结为以下几点 :
  1) 严格按照时序图的要求进行操作,
  2) 若与口线上带内部上拉电阻的单片机接口连接,可以不外加上拉电阻。
  3) 程序中为配合相应的传输速率,在对口线操作的指令后可用NOP指令加一定的延时。
  4) 为了减少意外的干扰信号将EEPROM内的数据改写可用外部写保护引脚(如果有),或者在EEPROM内部没有用的空间写入标志字,每次上电时或复位时做一次检测,判断EEPROM是否被意外改写。

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发表于:2008-10-20 12:19:38
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三极管

三极管

  半导体电子器件,有两个PN结组成,可以对电流起放大作用,有3个引脚,晶体三极管分别为集电极(c),基极(b),发射极(e),电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。有PNP和NPN型两种,以材料分有硅材料和锗材料两种。

概念

  
  半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
  作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.

三极管的分类:

  a.按材质分: 硅管、锗管
  b.按结构分: NPN 、 PNP
  c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

三极管的主要参数

  a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
  b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
  c. hFE:电流放大倍数.
  d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
  e. PCM:最大允许耗散功率.
  f. 封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在.

判断基极和三极管的类型

  先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.
  当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.
  判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
  把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.
  体三极管的结构和类型
  晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,
  从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
  发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
  三极管的封装形式和管脚识别
  常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,
  底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
  目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
  晶体三极管的电流放大作用
  晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大